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K7B803625A-QC75

更新时间: 2024-09-17 21:15:23
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 时钟静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
21页 571K
描述
Standard SRAM, 256KX36, 7.5ns, CMOS, PQFP100

K7B803625A-QC75 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete包装说明:QFP, QFP100,.63X.87
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.87
最长访问时间:7.5 ns最大时钟频率 (fCLK):117 MHz
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PQFP-G100
JESD-609代码:e0内存密度:9437184 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:36
湿度敏感等级:3端子数量:100
字数:262144 words字数代码:256000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:256KX36
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:QFP封装等效代码:QFP100,.63X.87
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLATPACK
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):260
电源:2.5/3.3,3.3 V认证状态:Not Qualified
最大待机电流:0.05 A最小待机电流:3.14 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.37 mA
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子节距:0.635 mm
端子位置:QUAD处于峰值回流温度下的最长时间:40
Base Number Matches:1

K7B803625A-QC75 数据手册

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K7B803625A  
K7B801825A  
256Kx36 & 512Kx18 Synchronous SRAM  
Document Title  
256Kx36 & 512Kx18-Bit Synchronous Burst SRAM  
Revision History  
Draft Date  
May. 24 . 2000  
July. 03. 2000  
Rev. No.  
History  
Remark  
0.0  
1.0  
Initial draft  
Preliminary  
Final  
1. Final spec Release.  
The attached data sheets are prepared and approved by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right to change the  
specifications. SAMSUNG Electronics will evaluate and reply to your requests and questions on the parameters of this device. If you have any ques-  
tions, please contact the SAMSUNG branch office near your office, call or contact Headquarters.  
July 2000  
- 1 -  
Rev 1.0  

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