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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | BGA | 包装说明： | BGA, |
| 针数： | 119 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | 3A991.B.2.A | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.6 | 最长访问时间： | 6.5 ns |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B119 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 22 mm | 内存密度： | 9437184 bit |
| 内存集成电路类型： | CACHE SRAM | 内存宽度： | 36 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 119 |
| 字数： | 262144 words | 字数代码： | 256000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 256KX36 | |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | BGA |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | GRID ARRAY |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.465 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 3.135 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | BALL | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 14 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| K7B803625B-HC75 | SAMSUNG |
获取价格 |
Cache SRAM, 256KX36, 7.5ns, CMOS, PBGA119, BGA-119 |
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| K7B803625B-HC85 | SAMSUNG |
获取价格 |
Cache SRAM, 256KX36, 8.5ns, CMOS, PBGA119, BGA-119 |
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| K7B803625B-HI65 | SAMSUNG |
获取价格 |
Cache SRAM, 256KX36, 6.5ns, CMOS, PBGA119, BGA-119 |
|
| K7B803625B-HI75 | SAMSUNG |
获取价格 |
Cache SRAM, 256KX36, 7.5ns, CMOS, PBGA119, BGA-119 |
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| K7B803625B-PC65 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX36, 6.5ns, CMOS, PQFP100 |
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| K7B803625B-PC650 | SAMSUNG |
获取价格 |
Cache SRAM, 256KX36, 6.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, TQFP-100 |
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| K7B803625B-PC75 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX36, 7.5ns, CMOS, PQFP100 |
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| K7B803625B-PC750 | SAMSUNG |
获取价格 |
Cache SRAM, 256KX36, 7.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, LEAD FREE, TQFP-100 |
|
| K7B803625B-PC75T | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX36, 7.5ns, CMOS, PQFP100 |
|
| K7B803625B-PI65 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX36, 6.5ns, CMOS, PQFP100 |
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