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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | BGA | 包装说明： | BGA, |
| 针数： | 119 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | 3A991.B.2.A | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.6 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 6.5 ns | JESD-30 代码： | R-PBGA-B119 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 22 mm |
| 内存密度： | 9437184 bit | 内存集成电路类型： | CACHE SRAM |
| 内存宽度： | 36 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 119 | 字数： | 262144 words |
| 字数代码： | 256000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 256KX36 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | BGA | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.465 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 3.135 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 14 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| K7B803625B-HI75 | SAMSUNG |
获取价格 |
Cache SRAM, 256KX36, 7.5ns, CMOS, PBGA119, BGA-119 |
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| K7B803625B-PC65 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX36, 6.5ns, CMOS, PQFP100 |
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| K7B803625B-PC650 | SAMSUNG |
获取价格 |
Cache SRAM, 256KX36, 6.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, TQFP-100 |
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| K7B803625B-PC75 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX36, 7.5ns, CMOS, PQFP100 |
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| K7B803625B-PC750 | SAMSUNG |
获取价格 |
Cache SRAM, 256KX36, 7.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, LEAD FREE, TQFP-100 |
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| K7B803625B-PC75T | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX36, 7.5ns, CMOS, PQFP100 |
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| K7B803625B-PI65 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX36, 6.5ns, CMOS, PQFP100 |
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| K7B803625B-PI650 | SAMSUNG |
获取价格 |
Cache SRAM, 256KX36, 6.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, TQFP-100 |
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| K7B803625B-PI65T | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX36, 6.5ns, CMOS, PQFP100 |
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| K7B803625B-PI75 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX36, 7.5ns, CMOS, PQFP100 |
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