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K7B803625B-QC65

更新时间： 2024-11-06 22:22:31

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三星 - SAMSUNG		静态存储器
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18页	401K
描述
256Kx36 & 512Kx18-Bit Synchronous Pipelined Burst SRAM

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K7B803625B-QC65 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	QFP	包装说明：	LQFP, QFP100,.63X.87
针数：	100	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.91	最长访问时间：	6.5 ns
最大时钟频率 (fCLK)：	133 MHz	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PQFP-G100	JESD-609代码：	e0
长度：	20 mm	内存密度：	9437184 bit
内存集成电路类型：	CACHE SRAM	内存宽度：	36
功能数量：	1	端子数量：	100
字数：	262144 words	字数代码：	256000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	256KX36
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LQFP	封装等效代码：	QFP100,.63X.87
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	2.5/3.3,3.3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.6 mm	最大待机电流：	0.06 A
最小待机电流：	3.14 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.3 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.465 V
最小供电电压 (Vsup)：	3.135 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.65 mm
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	14 mm	Base Number Matches：	1

K7B803625B-QC65 数据手册

K7A803609B

K7A801809B

256Kx36 & 512Kx18 Synchronous SRAM

Document Title

256Kx36 & 512Kx18-Bit Synchronous Pipelined Burst SRAM

Revision History

Rev. No.

History

Draft Date

Remark

0.0

0.1

0.2

0.3

1.0

Initial draft

May. 18 . 2001

Preliminary

1. Delete pass- through

June. 26. 2001 Preliminary

1. Add x32 org part and industrial temperature part

1. change scan order(1) form 4T to 6T at 119BGA(x18)

Aug. 11. 2001

Aug. 28. 2001

Nov. 16. 2001

Preliminary

Final

1. Final spec release

2. Change ISB2 form 50mA to 60mA

2.0

2.1

3.0

Remove tCYC 225MHz(-22)

1. Delete 119BGA package

April. 01. 2002 Final

April. 04. 2003 Final

1. Remove x32 organization

2. Remove -20 speed bin

Nov. 17. 2003

Final

The attached data sheets are prepared and approved by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right to change the

specifications. SAMSUNG Electronics will evaluate and reply to your requests and questions on the parameters of this device. If you have any ques-

tions, please contact the SAMSUNG branch office near your office, call or contact Headquarters.

- 1 -

Nov. 2003

Rev 3.0

12 3 4 5 6 7...18

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K7B803625B-QC750	SAMSUNG	获取价格	Cache SRAM, 256KX36, 7.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQFP-100
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