生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | QFP |
包装说明: | LQFP, | 针数: | 100 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | 3A991.B.2.A |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.84 |
最长访问时间: | 8.5 ns | JESD-30 代码: | R-PQFP-G100 |
长度: | 20 mm | 内存密度: | 9437184 bit |
内存集成电路类型: | CACHE SRAM | 内存宽度: | 36 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 100 |
字数: | 262144 words | 字数代码: | 256000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 256KX36 | |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | LQFP |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLATPACK, LOW PROFILE |
并行/串行: | PARALLEL | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.6 mm | 最大供电电压 (Vsup): | 3.465 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3.135 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.65 mm | 端子位置: | QUAD |
宽度: | 14 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
K7B803625A-TC90 | SAMSUNG |
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Cache SRAM, 256KX36, 9ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100 | |
K7B803625B | SAMSUNG |
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256Kx36 & 512Kx18-Bit Synchronous Burst SRAM | |
K7B803625B-HC65 | SAMSUNG |
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Cache SRAM, 256KX36, 6.5ns, CMOS, PBGA119, BGA-119 | |
K7B803625B-HC75 | SAMSUNG |
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Cache SRAM, 256KX36, 7.5ns, CMOS, PBGA119, BGA-119 | |
K7B803625B-HC85 | SAMSUNG |
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Cache SRAM, 256KX36, 8.5ns, CMOS, PBGA119, BGA-119 | |
K7B803625B-HI65 | SAMSUNG |
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Cache SRAM, 256KX36, 6.5ns, CMOS, PBGA119, BGA-119 | |
K7B803625B-HI75 | SAMSUNG |
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Cache SRAM, 256KX36, 7.5ns, CMOS, PBGA119, BGA-119 | |
K7B803625B-PC65 | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 256KX36, 6.5ns, CMOS, PQFP100 | |
K7B803625B-PC650 | SAMSUNG |
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Cache SRAM, 256KX36, 6.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, TQFP-100 | |
K7B803625B-PC75 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX36, 7.5ns, CMOS, PQFP100 |