是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | QFP | 包装说明: | 20 X 14 MM, TQFP-100 |
针数: | 100 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | 3A991.B.2.A | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.88 | 最长访问时间: | 6.5 ns |
JESD-30 代码: | R-PQFP-G100 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 20 mm | 内存密度: | 18874368 bit |
内存集成电路类型: | CACHE SRAM | 内存宽度: | 18 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 100 |
字数: | 1048576 words | 字数代码: | 1000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 1MX18 | |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | LQFP |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLATPACK, LOW PROFILE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.6 mm |
最大供电电压 (Vsup): | 3.465 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3.135 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | TIN LEAD | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.65 mm | 端子位置: | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 14 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
K7B161825A-QC650 | SAMSUNG |
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暂无描述 |
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K7B161825A-QC850 | SAMSUNG |
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Cache SRAM, 1MX18, 8.5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100 |
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K7B161825A-QI650 | SAMSUNG |
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Cache SRAM, 1MX18, 6.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQFP-100 |
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K7B161825A-QI750 | SAMSUNG |
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Cache SRAM, 1MX18, 7.5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100 |
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K7B161825A-QI850 | SAMSUNG |
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Cache SRAM, 1MX18, 8.5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100 |
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K7B161825M-HC10 | SAMSUNG |
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Cache SRAM, 1MX18, 10ns, CMOS, PBGA119, BGA-119 |
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K7B161825M-HC10T | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 1MX18, 10ns, CMOS, PBGA119 |
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K7B161825M-HC85 | SAMSUNG |
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Cache SRAM, 1MX18, 8.5ns, CMOS, PBGA119, BGA-119 |
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K7B161825M-HC850 | SAMSUNG |
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Cache SRAM, 1MX18, 8.5ns, CMOS, PBGA119, BGA-119 |
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K7B161825M-HC90T | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 1MX18, 9ns, CMOS, PBGA119 |
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