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K7B161825M-HC850

更新时间： 2023-02-15 00:00:00
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
21页 433K
描述
Cache SRAM, 1MX18, 8.5ns, CMOS, PBGA119, BGA-119

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K7B161825M-HC850 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：BGA包装说明：BGA,
针数：119Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：3A991.B.2.AHTS代码：8542.32.00.41
风险等级：5.92最长访问时间：8.5 ns
JESD-30 代码：R-PBGA-B119长度：22 mm
内存密度：18874368 bit内存集成电路类型：CACHE SRAM
内存宽度：18功能数量：1
端子数量：119字数：1048576 words
字数代码：1000000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：1MX18封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：BGA封装形状：RECTANGULAR
封装形式：GRID ARRAY并行/串行：PARALLEL
认证状态：Not Qualified最大供电电压 (Vsup)：3.465 V
最小供电电压 (Vsup)：3.135 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子形式：BALL
端子节距：1.27 mm端子位置：BOTTOM
宽度：14 mm

K7B161825M-HC850 数据手册

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K7B163625M  
K7B161825M  
512Kx36 & 1Mx18 Synchronous SRAM  
Document Title  
512Kx36 & 1Mx18-Bit Synchronous Burst SRAM  
Revision History  
Rev.No.  
History  
Draft Date  
Remark  
0.0  
Initial draft  
March. 17 . 1999  
Preliminary  
0.1  
0.2  
1. Update ICC & ISB values.  
May. 27. 1999  
June. 22. 1999  
Preliminary  
Preliminary  
1. Change tOE from 3.5ns to 4.0ns at -8 .  
2. Change tOE from 3.5ns to 4.0ns at -9 .  
3. Change tOE from 3.5ns to 4.0ns at -10 .  
0.3  
1. Change ISB value from 130mA to 80mA at -8 .  
2. Change ISB value from 120mA to 70mA at -9 .  
3. Change ISB value from 120mA to 60mA at -10 .  
Sep. 04. 1999  
Preliminary  
0.4  
1.0  
2.0  
1. Change tCYC value from 12ns to 10ns at -9 .  
1. Final Spec Release.  
Oct. 28. 1999  
Dec. 08. 1999  
Feb. 23. 2001  
Preliminary  
Final  
1. Remove -10 bin ( tCD=10ns)  
Final  
The attached data sheets are prepared and approved by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right to change the  
specifications. SAMSUNG Electronics will evaluate and reply to your requests and questions on the parameters of this device. If you have any ques-  
tions, please contact the SAMSUNG branch office near your office, call or contact Headquarters.  
February 2001  
- 1 -  
Rev 2.0  
1234567...21

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
K7B161825M-HC90T SAMSUNG

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 		Standard SRAM, 1MX18, 9ns, CMOS, PBGA119
K7B161825M-QC10 SAMSUNG

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K7B161825M-QC85 SAMSUNG

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 		Cache SRAM, 1MX18, 8.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQFP-100
K7B161825M-QC850 SAMSUNG

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 		Cache SRAM, 1MX18, 8.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQFP-100
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 		Cache SRAM, 1MX18, 9ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQFP-100
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 		Cache SRAM, 1MX18, 9ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100
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