是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | BGA | 包装说明: | BGA, |
针数: | 119 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | 3A991.B.2.A | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.88 | 最长访问时间: | 6.5 ns |
JESD-30 代码: | R-PBGA-B119 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 22 mm | 内存密度: | 18874368 bit |
内存集成电路类型: | CACHE SRAM | 内存宽度: | 36 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 119 |
字数: | 524288 words | 字数代码: | 512000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 512KX36 | |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | BGA |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | GRID ARRAY |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 240 |
认证状态: | Not Qualified | 最大供电电压 (Vsup): | 3.465 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3.135 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | TIN LEAD |
端子形式: | BALL | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
宽度: | 14 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
K7B163625A-HC75 | SAMSUNG |
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Cache SRAM, 512KX36, 7.5ns, CMOS, PBGA119, BGA-119 |
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K7B163625A-HC750 | SAMSUNG |
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Cache SRAM, 512KX36, 7.5ns, CMOS, PBGA119, BGA-119 |
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K7B163625A-HC850 | SAMSUNG |
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Cache SRAM, 512KX36, 8.5ns, CMOS, PBGA119, BGA-119 |
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K7B163625A-HI75 | SAMSUNG |
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Cache SRAM, 512KX36, 7.5ns, CMOS, PBGA119, BGA-119 |
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K7B163625A-HI750 | SAMSUNG |
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Cache SRAM, 512KX36, 7.5ns, CMOS, PBGA119, BGA-119 |
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K7B163625A-QC65 | SAMSUNG |
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Cache SRAM, 512KX36, 6.5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100 |
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K7B163625A-QC650 | SAMSUNG |
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Cache SRAM, 512KX36, 6.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQFP-100 |
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K7B163625A-QC85 | SAMSUNG |
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Cache SRAM, 512KX36, 8.5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100 |
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K7B163625A-QC850 | SAMSUNG |
获取价格 |
Cache SRAM, 512KX36, 8.5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100 |
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K7B163625A-QI650 | SAMSUNG |
获取价格 |
Cache SRAM, 512KX36, 6.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQFP-100 |
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