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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | BGA | 包装说明： | BGA, |
| 针数： | 119 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | 3A991.B.2.A | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.88 | 最长访问时间： | 7.5 ns |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B119 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 22 mm | 内存密度： | 18874368 bit |
| 内存集成电路类型： | CACHE SRAM | 内存宽度： | 36 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 119 |
| 字数： | 524288 words | 字数代码： | 512000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 512KX36 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | BGA |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | GRID ARRAY |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.465 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 3.135 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | BALL | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 宽度： | 14 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| K7B163625A-QC65 | SAMSUNG |
获取价格 |
Cache SRAM, 512KX36, 6.5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100 |
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| K7B163625A-QC650 | SAMSUNG |
获取价格 |
Cache SRAM, 512KX36, 6.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQFP-100 |
|
| K7B163625A-QC85 | SAMSUNG |
获取价格 |
Cache SRAM, 512KX36, 8.5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100 |
|
| K7B163625A-QC850 | SAMSUNG |
获取价格 |
Cache SRAM, 512KX36, 8.5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100 |
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| K7B163625A-QI650 | SAMSUNG |
获取价格 |
Cache SRAM, 512KX36, 6.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQFP-100 |
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| K7B163625A-QI750 | SAMSUNG |
获取价格 |
Cache SRAM, 512KX36, 7.5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100 |
|
| K7B163625A-QI85 | SAMSUNG |
获取价格 |
Cache SRAM, 512KX36, 8.5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100 |
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| K7B163625M-HC10T | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 512KX36, 10ns, CMOS, PBGA119 |
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| K7B163625M-HC850 | SAMSUNG |
获取价格 |
Cache SRAM, 512KX36, 8.5ns, CMOS, PBGA119, BGA-119 |
|
| K7B163625M-HC900 | SAMSUNG |
获取价格 |
Cache SRAM, 512KX36, 9ns, CMOS, PBGA119, BGA-119 |
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