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K7B201825B-QC65

更新时间: 2024-09-30 20:59:39
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三星 - SAMSUNG 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
19页 504K
描述
Cache SRAM, 128KX18, 6.5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100

K7B201825B-QC65 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:QFP包装说明:LQFP, QFP100,.63X.87
针数:100Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:3A991.B.2.AHTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.92最长访问时间:6.5 ns
其他特性:FLOW-THROUGH ARCHITECTUREI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PQFP-G100JESD-609代码:e0
长度:20 mm内存密度:2359296 bit
内存集成电路类型:CACHE SRAM内存宽度:18
功能数量:1端子数量:100
字数:131072 words字数代码:128000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:128KX18
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:LQFP封装等效代码:QFP100,.63X.87
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:2.5/3.3,3.3 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.6 mm最大待机电流:0.05 A
最小待机电流:3.14 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.25 mA最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3.135 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子节距:0.65 mm
端子位置:QUAD处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:14 mmBase Number Matches:1

K7B201825B-QC65 数据手册

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K7B203625B  
K7B203225B  
K7B201825B  
64Kx36/x32 & 128Kx18 Synchronous SRAM  
Document Title  
64Kx36/x32 & 128Kx18-Bit Synchronous Burst SRAM  
Revision History  
Remark  
Rev. No.  
History  
Draft Date  
Preliminary  
0.0  
1. Initial draft  
Jan. 17. 2002  
The attached data sheets are prepared and approved by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right to change the  
specifications. SAMSUNG Electronics will evaluate and reply to your requests and questions on the parameters of this device. If you have any ques-  
tions, please contact the SAMSUNG branch office near your office, call or contact Headquarters.  
- 1 -  
Jan 2002  
Rev 0.0  

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