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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | LQFP, QFP100,.63X.87 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.91 | 最长访问时间： | 8 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PQFP-G100 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 20 mm |
| 内存密度： | 2359296 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 36 | 湿度敏感等级： | 3 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 100 |
| 字数： | 65536 words | 字数代码： | 64000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 64KX36 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | LQFP | 封装等效代码： | QFP100,.63X.87 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLATPACK, LOW PROFILE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 电源： | 2.5/3.3,3.3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1.6 mm | 最大待机电流： | 0.02 A |
| 最小待机电流： | 3.14 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.23 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 3.135 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 0.65 mm |
| 端子位置： | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 宽度： | 14 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| K7B203625A-QC90 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX36, 9ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100 |
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| K7B203625A-QL75 | SAMSUNG |
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SRAM |
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| K7B203625A-QL80 | SAMSUNG |
获取价格 |
SRAM |
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| K7B203625A-QL90 | SAMSUNG |
获取价格 |
SRAM |
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| K7B203625A-QS75 | SAMSUNG |
获取价格 |
SRAM |
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| K7B203625A-QS80 | SAMSUNG |
获取价格 |
SRAM |
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| K7B203625A-QS90 | SAMSUNG |
获取价格 |
SRAM |
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| K7B203625A-TC75 | SAMSUNG |
获取价格 |
Cache SRAM, 64KX36, 7.5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100 |
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| K7B203625A-TC750 | SAMSUNG |
获取价格 |
Cache SRAM, 64KX36, 7.5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100 |
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| K7B203625A-TC80 | SAMSUNG |
获取价格 |
暂无描述 |
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