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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | QFP | 包装说明： | LQFP, QFP100,.63X.87 |
| 针数： | 100 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | 3A991.B.2.A | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.92 | 最长访问时间： | 7.5 ns |
| 其他特性： | FLOW-THROUGH ARCHITECTURE | 最大时钟频率 (fCLK)： | 117.64 MHz |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PQFP-G100 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 20 mm |
| 内存密度： | 2097152 bit | 内存集成电路类型： | CACHE SRAM |
| 内存宽度： | 32 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 100 | 字数： | 65536 words |
| 字数代码： | 64000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 64KX32 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | LQFP |
| 封装等效代码： | QFP100,.63X.87 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLATPACK, LOW PROFILE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 2.5/3.3,3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.6 mm |
| 最大待机电流： | 0.05 A | 最小待机电流： | 3.14 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.23 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 3.135 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.65 mm | 端子位置： | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 14 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| K7B203225B-QC800 | SAMSUNG |
获取价格 |
Cache SRAM, 64KX32, 8ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100 |
|
| K7B203225B-QI75 | SAMSUNG |
获取价格 |
Cache SRAM, 64KX32, 7.5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100 |
|
| K7B203625A-QC80 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX36, 8ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100 |
|
| K7B203625A-QC90 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX36, 9ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100 |
|
| K7B203625A-QL75 | SAMSUNG |
获取价格 |
SRAM |
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| K7B203625A-QL80 | SAMSUNG |
获取价格 |
SRAM |
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| K7B203625A-QL90 | SAMSUNG |
获取价格 |
SRAM |
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| K7B203625A-QS75 | SAMSUNG |
获取价格 |
SRAM |
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| K7B203625A-QS80 | SAMSUNG |
获取价格 |
SRAM |
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| K7B203625A-QS90 | SAMSUNG |
获取价格 |
SRAM |
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