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K7B163625A-FC750

更新时间： 2024-02-15 07:32:43

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
28页	364K
描述
Cache SRAM, 512KX36, 7.5ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165

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K7B163625A-FC750 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	LBGA,	针数：	165
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.8
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	7.5 ns
JESD-30 代码：	R-PBGA-B165	长度：	15 mm
内存密度：	18874368 bit	内存集成电路类型：	CACHE SRAM
内存宽度：	36	功能数量：	1
端子数量：	165	字数：	524288 words
字数代码：	512000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	512KX36	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LBGA	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.4 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.465 V	最小供电电压 (Vsup)：	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	BALL	端子节距：	1 mm
端子位置：	BOTTOM	宽度：	13 mm
Base Number Matches：	1

K7B163625A-FC750 数据手册

K7B163625A

K7B163225A

K7B161825A

512Kx36/32 & 1Mx18 Synchronous SRAM

Document Title

512Kx36/x32 & 1Mx18-Bit Synchronous Burst SRAM

Revision History

Rev. No.

0.0

History

Draft Date

Remark

1. Initial draft

Feb. 23. 2001

May. 10. 2001

Aug. 30. 2001

Preliminary

0.1

1. Add JTAG Scan Order

1. Add x32 org and industrial temperature .

2. Add 165FBGA package

0.2

1.0

1.1

1. Final spec release

May. 10. 2002

April 04. 2003

Final

1. Delete 119BGA package.

2. Correct the Ball Size of 165 FBGA.

April 2003

Rev 1.1

- 1 -

12 3 4 5 6 7...28

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