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K7B161825M-TC10

更新时间： 2024-09-27 19:34:39

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
21页	572K
描述
Cache SRAM, 1MX18, 10ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100

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K7B161825M-TC10 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	QFP
包装说明：	LQFP,	针数：	100
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	10 ns
其他特性：	SELF-TIMED WRITE CYCLE	JESD-30 代码：	R-PQFP-G100
长度：	20 mm	内存密度：	18874368 bit
内存集成电路类型：	CACHE SRAM	内存宽度：	18
功能数量：	1	端子数量：	100
字数：	1048576 words	字数代码：	1000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	1MX18
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	LQFP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.6 mm	最大供电电压 (Vsup)：	3.465 V
最小供电电压 (Vsup)：	3.135 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.65 mm	端子位置：	QUAD
宽度：	14 mm	Base Number Matches：	1

K7B161825M-TC10 数据手册

K7B163625M

K7B161825M

512Kx36 & 1Mx18 Synchronous SRAM

Document Title

512Kx36 & 1Mx18-Bit Synchronous Burst SRAM

Revision History

Rev.No.

History

Draft Date

Remark

0.0

Initial draft

March. 17 . 1999

Preliminary

0.1

0.2

1. Update ICC & ISB values.

May. 27. 1999

June. 22. 1999

Preliminary

1. Change tOE from 3.5ns to 4.0ns at -8 .

2. Change tOE from 3.5ns to 4.0ns at -9 .

3. Change tOE from 3.5ns to 4.0ns at -10 .

0.3

1. Change ISB value from 130mA to 80mA at -8 .

2. Change ISB value from 120mA to 70mA at -9 .

3. Change ISB value from 120mA to 60mA at -10 .

Sep. 04. 1999

Preliminary

0.4

1.0

1. Change tCYC value from 12ns to 10ns at -9 .

1. Final Spec Release.

Oct. 28. 1999

Dec. 08. 1999

Preliminary

Final

The attached data sheets are prepared and approved by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right to change the

specifications. SAMSUNG Electronics will evaluate and reply to your requests and questions on the parameters of this device. If you have any ques-

tions, please contact the SAMSUNG branch office near your office, call or contact Headquarters.

December 1999

- 1 -

Rev 1.0

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K7B161825M-TC90	SAMSUNG	获取价格	Cache SRAM, 1MX18, 9ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100
K7B161835B	SAMSUNG	获取价格	512Kx36 & 1Mx18 Synchronous SRAM
K7B161835B-PC75	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 1MX18, 7.5ns, CMOS, PQFP100
K7B161835B-PC750	SAMSUNG	获取价格	Cache SRAM, 1MX18, 7.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, TQFP-100
K7B161835B-PC75T	SAMSUNG	获取价格	Cache SRAM, 1MX18, 7.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, TQFP-100
K7B161835B-PI75	SAMSUNG	获取价格	18MB B-DIE SYNC SRAM SPECIFICATION 100TQFP WITH PB, PB-FREE
K7B161835B-PI750	SAMSUNG	获取价格	Cache SRAM, 1MX18, 7.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, TQFP-100
K7B161835B-QC75	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 1MX18, 7.5ns, CMOS, PQFP100
K7B161835B-QC750	SAMSUNG	获取价格	Cache SRAM, 1MX18, 7.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQFP-100
K7B161835B-QI75	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 1MX18, 7.5ns, CMOS, PQFP100

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