是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | QFP | 包装说明: | LQFP, |
针数: | 100 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | 3A991.B.2.A | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.84 | 最长访问时间: | 7.5 ns |
其他特性: | ALSO OPERATES WITH 3.3V SUPPLY | JESD-30 代码: | R-PQFP-G100 |
长度: | 20 mm | 内存密度: | 18874368 bit |
内存集成电路类型: | CACHE SRAM | 内存宽度: | 18 |
湿度敏感等级: | 2 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 100 | 字数: | 1048576 words |
字数代码: | 1000000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 1MX18 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | LQFP | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLATPACK, LOW PROFILE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.6 mm | 最大供电电压 (Vsup): | 2.625 V |
最小供电电压 (Vsup): | 2.375 V | 标称供电电压 (Vsup): | 2.5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.65 mm | 端子位置: | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 | 宽度: | 14 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
K7B161835B-QC75 | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 1MX18, 7.5ns, CMOS, PQFP100 | |
K7B161835B-QC750 | SAMSUNG |
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Cache SRAM, 1MX18, 7.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQFP-100 | |
K7B161835B-QI75 | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 1MX18, 7.5ns, CMOS, PQFP100 | |
K7B163225A-QC65 | SAMSUNG |
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Cache SRAM, 512KX32, 6.5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100 | |
K7B163225A-QC75 | SAMSUNG |
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Cache SRAM, 512KX32, 7.5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100 | |
K7B163225A-QC85 | SAMSUNG |
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Cache SRAM, 512KX32, 8.5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100 | |
K7B163225A-QC850 | SAMSUNG |
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Cache SRAM, 512KX32, 8.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQFP-100 | |
K7B163225A-QI65 | SAMSUNG |
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Cache SRAM, 512KX32, 6.5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100 | |
K7B163225A-QI75 | SAMSUNG |
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Cache SRAM, 512KX32, 7.5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100 | |
K7B163225A-QI850 | SAMSUNG |
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Cache SRAM, 512KX32, 8.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQFP-100 |