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K7B161825M-QC85 PDF预览

K7B161825M-QC85

更新时间： 2024-01-11 10:20:43
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 时钟静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
21页 433K
描述
Cache SRAM, 1MX18, 8.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQFP-100

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K7B161825M-QC85 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete包装说明：QFP, QFP100,.63X.87
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.92
最长访问时间：8.5 ns最大时钟频率 (fCLK)：100 MHz
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PQFP-G100
JESD-609代码：e0内存密度：18874368 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：18
湿度敏感等级：3端子数量：100
字数：1048576 words字数代码：1000000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：1MX18
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：QFP封装等效代码：QFP100,.63X.87
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLATPACK
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：2.5/3.3,3.3 V认证状态：Not Qualified
最大待机电流：0.03 A最小待机电流：3.14 V
子类别：SRAMs最大压摆率：0.35 mA
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子节距：0.635 mm
端子位置：QUAD处于峰值回流温度下的最长时间：40
Base Number Matches：1

K7B161825M-QC85 数据手册

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K7B163625M  
K7B161825M  
512Kx36 & 1Mx18 Synchronous SRAM  
Document Title  
512Kx36 & 1Mx18-Bit Synchronous Burst SRAM  
Revision History  
Rev.No.  
History  
Draft Date  
Remark  
0.0  
Initial draft  
March. 17 . 1999  
Preliminary  
0.1  
0.2  
1. Update ICC & ISB values.  
May. 27. 1999  
June. 22. 1999  
Preliminary  
Preliminary  
1. Change tOE from 3.5ns to 4.0ns at -8 .  
2. Change tOE from 3.5ns to 4.0ns at -9 .  
3. Change tOE from 3.5ns to 4.0ns at -10 .  
0.3  
1. Change ISB value from 130mA to 80mA at -8 .  
2. Change ISB value from 120mA to 70mA at -9 .  
3. Change ISB value from 120mA to 60mA at -10 .  
Sep. 04. 1999  
Preliminary  
0.4  
1.0  
2.0  
1. Change tCYC value from 12ns to 10ns at -9 .  
1. Final Spec Release.  
Oct. 28. 1999  
Dec. 08. 1999  
Feb. 23. 2001  
Preliminary  
Final  
1. Remove -10 bin ( tCD=10ns)  
Final  
The attached data sheets are prepared and approved by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right to change the  
specifications. SAMSUNG Electronics will evaluate and reply to your requests and questions on the parameters of this device. If you have any ques-  
tions, please contact the SAMSUNG branch office near your office, call or contact Headquarters.  
February 2001  
- 1 -  
Rev 2.0  
1234567...21

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与K7B161825M-QC85相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
K7B161825M-QC850 SAMSUNG

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 		Cache SRAM, 1MX18, 8.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQFP-100
K7B161825M-QC85T SAMSUNG

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 		Standard SRAM, 1MX18, 8.5ns, CMOS, PQFP100
K7B161825M-QC90 SAMSUNG

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 		Cache SRAM, 1MX18, 9ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQFP-100
K7B161825M-QC900 SAMSUNG

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 		Cache SRAM, 1MX18, 9ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQFP-100
K7B161825M-TC10 SAMSUNG

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 		Cache SRAM, 1MX18, 10ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100
K7B161825M-TC90 SAMSUNG

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 		Cache SRAM, 1MX18, 9ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100
K7B161835B SAMSUNG

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 		512Kx36 & 1Mx18 Synchronous SRAM
K7B161835B-PC75 SAMSUNG

获取价格

 		Standard SRAM, 1MX18, 7.5ns, CMOS, PQFP100
K7B161835B-PC750 SAMSUNG

获取价格

 		Cache SRAM, 1MX18, 7.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, TQFP-100
K7B161835B-PC75T SAMSUNG

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 		Cache SRAM, 1MX18, 7.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, TQFP-100

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