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K7B161825A-QI850

更新时间： 2024-01-25 08:33:27

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
19页	416K
描述
Cache SRAM, 1MX18, 8.5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100

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K7B161825A-QI850 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	QFP	包装说明：	LQFP,
针数：	100	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.73	最长访问时间：	8.5 ns
其他特性：	PIPELINED ARCHITECTURE	JESD-30 代码：	R-PQFP-G100
长度：	20 mm	内存密度：	18874368 bit
内存集成电路类型：	CACHE SRAM	内存宽度：	18
功能数量：	1	端子数量：	100
字数：	1048576 words	字数代码：	1000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	1MX18
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	LQFP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.6 mm	最大供电电压 (Vsup)：	3.465 V
最小供电电压 (Vsup)：	3.135 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.65 mm	端子位置：	QUAD
宽度：	14 mm	Base Number Matches：	1

K7B161825A-QI850 数据手册

K7A163600A

K7A161800A

512Kx36 & 1Mx18 Synchronous SRAM

16Mb Sync. Pipelined SRAM

Specification

100 TQFP with Pb & Pb-Free

(RoHS compliant)

INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED IN RELATION TO SAMSUNG PRODUCTS,

AND IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE.

NOTHING IN THIS DOCUMENT SHALL BE CONSTRUED AS GRANTING ANY LICENSE,

EXPRESS OR IMPLIED, BY ESTOPPEL OR OTHERWISE,

TO ANY INTELLECTUAL PROPERTY RIGHTS IN SAMSUNG PRODUCTS OR TECHNOLOGY.

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or defense application, or any governmental procurement to which special terms or provisions may apply.

* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

Rev. 3.0 November 2003

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K7B161825M-HC90T	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 1MX18, 9ns, CMOS, PBGA119
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K7B161825M-QC85	SAMSUNG	获取价格	Cache SRAM, 1MX18, 8.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQFP-100
K7B161825M-QC850	SAMSUNG	获取价格	Cache SRAM, 1MX18, 8.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQFP-100
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