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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SOIC | 包装说明： | SOP, |
| 针数： | 32 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | 3A991.B.2.A | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.85 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 70 ns | JESD-30 代码： | R-PDSO-G32 |
| 长度： | 20.47 mm | 内存密度： | 4194304 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 32 |
| 字数： | 524288 words | 字数代码： | 512000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 512KX8 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | SOP |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 3 mm | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | DUAL |
| 宽度： | 11.43 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| K6T4008V1B-GF85 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 512KX8, 85ns, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, PLASTIC, SOP-32 |
|
| K6T4008V1B-GF850 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 512KX8, 85ns, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, PLASTIC, SOP-32 |
|
| K6T4008V1B-MB10 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 512KX8, 100ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, REVERSE, TSOP2-32 |
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| K6T4008V1B-MB10T | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 512KX8, 100ns, CMOS, PDSO32 |
|
| K6T4008V1B-MB70 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 512KX8, 70ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, REVERSE, TSOP2-32 |
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| K6T4008V1B-MB70T | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 512KX8, 70ns, CMOS, PDSO32 |
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| K6T4008V1B-MF10 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 512KX8, 100ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, REVERSE, TSOP2-32 |
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| K6T4008V1B-MF100 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 512KX8, 100ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, REVERSE, TSOP2-32 |
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| K6T4008V1B-MF10T | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 512KX8, 100ns, CMOS, PDSO32 |
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| K6T4008V1B-MF85 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 512KX8, 85ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, REVERSE, TSOP2-32 |
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