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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | TSOP, TSOP32,.46 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.88 | 最长访问时间： | 100 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PDSO-G32 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 4194304 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 8 |
| 端子数量： | 32 | 字数： | 524288 words |
| 字数代码： | 512000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 512KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TSOP |
| 封装等效代码： | TSOP32,.46 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 电源： | 3.3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 反向引出线： | YES | 最小待机电流： | 2 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.045 mA |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| K6T4008V1B-MB70 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 512KX8, 70ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, REVERSE, TSOP2-32 |
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| K6T4008V1B-MB70T | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 512KX8, 70ns, CMOS, PDSO32 |
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| K6T4008V1B-MF10 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 512KX8, 100ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, REVERSE, TSOP2-32 |
|
| K6T4008V1B-MF100 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 512KX8, 100ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, REVERSE, TSOP2-32 |
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| K6T4008V1B-MF10T | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 512KX8, 100ns, CMOS, PDSO32 |
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| K6T4008V1B-MF85 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 512KX8, 85ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, REVERSE, TSOP2-32 |
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| K6T4008V1B-VB10T | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 512KX8, 100ns, CMOS, PDSO32 |
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| K6T4008V1B-VB70 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 512KX8, 70ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, TSOP2-32 |
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| K6T4008V1B-VB700 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 512KX8, 70ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, TSOP2-32 |
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| K6T4008V1B-VB85 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 512KX8, 85ns, CMOS, PDSO32 |
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