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K6F8008U2M-FF550

更新时间： 2024-02-08 13:38:44

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
10页	200K
描述
Standard SRAM, 1MX8, 55ns, CMOS, PBGA48, 8 X 12 MM, 0.75 MM PITCH, FBGA-48

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K6F8008U2M-FF550 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	TFBGA,	针数：	48
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.84
最长访问时间：	55 ns	JESD-30 代码：	R-PBGA-B48
长度：	12 mm	内存密度：	8388608 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	48
字数：	1048576 words	字数代码：	1000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	1MX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：	PARALLEL	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	最大供电电压 (Vsup)：	3.3 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子形式：	BALL
端子节距：	0.75 mm	端子位置：	BOTTOM
宽度：	8 mm	Base Number Matches：	1

K6F8008U2M-FF550 数据手册

K6F8008U2M Family

CMOS SRAM

Document Title

1M x8 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM

Revision History

Revision No. History

Draft Date

August 25, 1999

Remark

0.0

Initial draft

Preliminary

1.0

Finalize

February 24, 2000

Finalize

- Adopt new code.

- Improve VIN, VOUT max. on A’ BSOLUTE MAXIMUM RATINGS’from

3.6V to VCC+0.5V.

- Improve VOH on D’ C AND OPERATING CHARACTERISTICS’from

2.2 to 2.4V.

2.0

Revise

April 26, 2000

Final

- Errata correction

- Improve VIL max. on R’ ECOMMENDED DC OPERATING CONDI

TIONS’from 0.4V to 0.6V.

- Change tDW : from 20ns to 25ns for 55ns product.

from 25ns to 30ns for 70ns product.

- Change tWHZ : from 25ns to 20ns for 70ns product.

2.01

Revise

January 7, 2002

Final

- Errata Correction : Changed 256 x8 columns to 512 x8 columns in the

Functional Block Diagram.

The attached datasheets are provided by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right to change the specifications and

products. SAMSUNG Electronics will answer to yourquestions about device. If you have any questions, please contact the SAMSUNG branch offices.

Revision 2.01

January 2002

12 3 4 5 6 7...10

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K6F8008U2M-FF700	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 1MX8, 70ns, CMOS, PBGA48, 8 X 12 MM, 0.75 MM PITCH, FBGA-48
K6F8008U2M-RF550	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 1MX8, 55ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, REVERSE, TSOP2-44
K6F8008U2M-RF700	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 1MX8, 70ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, REVERSE, TSOP2-44
K6F8008U2M-TF550	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 1MX8, 55ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44
K6F8008U2M-TF700	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 1MX8, 70ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44
K6F8008V2M-FF55	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 1MX8, 55ns, CMOS, PBGA48, 8 X 12 MM, 0.75 MM PITCH, FBGA-48
K6F8008V2M-RF55	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 1MX8, 55ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, REVERSE, TSOP2-44
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K6F8008V2M-TF70	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 1MX8, 70ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44

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