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K6F8008U2M-RF700

更新时间： 2024-02-12 01:56:52

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
10页	200K
描述
Standard SRAM, 1MX8, 70ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, REVERSE, TSOP2-44

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K6F8008U2M-RF700 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP2	包装说明：	TSOP2-R,
针数：	44	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.92	最长访问时间：	70 ns
JESD-30 代码：	R-PDSO-G44	长度：	18.41 mm
内存密度：	8388608 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	44	字数：	1048576 words
字数代码：	1000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	1MX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2-R	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.3 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

K6F8008U2M-RF700 数据手册

K6F8008U2M Family

CMOS SRAM

Document Title

1M x8 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM

Revision History

Revision No. History

Draft Date

August 25, 1999

Remark

0.0

Initial draft

Preliminary

1.0

Finalize

February 24, 2000

Finalize

- Adopt new code.

- Improve VIN, VOUT max. on A’ BSOLUTE MAXIMUM RATINGS’from

3.6V to VCC+0.5V.

- Improve VOH on D’ C AND OPERATING CHARACTERISTICS’from

2.2 to 2.4V.

2.0

Revise

April 26, 2000

Final

- Errata correction

- Improve VIL max. on R’ ECOMMENDED DC OPERATING CONDI

TIONS’from 0.4V to 0.6V.

- Change tDW : from 20ns to 25ns for 55ns product.

from 25ns to 30ns for 70ns product.

- Change tWHZ : from 25ns to 20ns for 70ns product.

2.01

Revise

January 7, 2002

Final

- Errata Correction : Changed 256 x8 columns to 512 x8 columns in the

Functional Block Diagram.

The attached datasheets are provided by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right to change the specifications and

products. SAMSUNG Electronics will answer to yourquestions about device. If you have any questions, please contact the SAMSUNG branch offices.

Revision 2.01

January 2002

12 3 4 5 6 7...10

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