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K6F8016R6D-FF70

更新时间： 2024-09-26 14:51:47

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
10页	155K
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Standard SRAM, 512KX16, 70ns, CMOS, PBGA48

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K6F8016R6D-FF70 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FBGA, BGA48,6X8,30	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.88	最长访问时间：	70 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PBGA-B48
内存密度：	8388608 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	16	湿度敏感等级：	1
端子数量：	48	字数：	524288 words
字数代码：	512000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	512KX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	FBGA
封装等效代码：	BGA48,6X8,30	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, FINE PITCH	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	225	电源：	1.8 V
认证状态：	Not Qualified	最小待机电流：	1 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.017 mA
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	BALL	端子节距：	0.75 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

K6F8016R6D-FF70 数据手册

K6F8016R6D Family

CMOS SRAM

8Mb(512K x 16 bit) Low Power SRAM

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Revision 1.0

May 2005

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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K6F8016R6D-XF70	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 512KX16, 70ns, CMOS, PBGA48
K6F8016R6D-XF700	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 512KX16, 70ns, CMOS, PBGA48,
K6F8016R6D-XF70T	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 512KX16, 70ns, CMOS, PBGA48,
K6F8016R6M-FF700	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 512KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 8 X 12 MM, 0.75 MM PITCH, FBGA-48
K6F8016S6M-FF85	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 512KX16, 85ns, CMOS, PBGA48, 8 X 12 MM, 0.75 MM PITCH, FBGA-48
K6F8016T6C	SAMSUNG	获取价格	512K x16 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM
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K6F8016T6C-FF70	SAMSUNG	获取价格	512K x16 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM
K6F8016T6C-FF700	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 512KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 6 X 7 MM, 0.75 MM PITCH, FBGA-48

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