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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TSOP2 | 包装说明： | TSOP2, |
| 针数： | 44 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | 3A991.B.2.A | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.89 | 最长访问时间： | 55 ns |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G44 | 长度： | 18.41 mm |
| 内存密度： | 8388608 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 16 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 44 | 字数： | 524288 words |
| 字数代码： | 512000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 512KX16 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TSOP2 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.2 mm |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 0.8 mm |
| 端子位置： | DUAL | 宽度： | 10.16 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| K6F8016U3M-TF70 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 512KX16, 70ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44 |
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| K6F8016U3M-TF700 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 512KX16, 70ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44 |
|
| K6F8016U6 | SAMSUNG |
获取价格 |
512K x16 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM |
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| K6F8016U6A-EF55 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 512KX16, 55ns, CMOS, PBGA48, 7 X 9 MM, 0.75 MM PITCH, TBGA-48 |
|
| K6F8016U6A-EF55T | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 512KX16, 55ns, CMOS, PBGA48, 7 X 9 MM, 0.75 MM PITCH, TBGA-48 |
|
| K6F8016U6A-EF70 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 512KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 7 X 9 MM, 0.75 MM PITCH, TBGA-48 |
|
| K6F8016U6A-EF70T | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 512KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 7 X 9 MM, 0.75 MM PITCH, TBGA-48 |
|
| K6F8016U6B-EF550 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 512KX16, 55ns, CMOS, PBGA48, 6 X 7 MM, 0.75 MM PITCH, TBGA-48 |
|
| K6F8016U6D | SAMSUNG |
获取价格 |
512K x16 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM |
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| K6F8016U6D-FF55 | SAMSUNG |
获取价格 |
512K x16 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM |
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