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K6F8016R6A-EF700

更新时间： 2024-02-20 00:06:40
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
9页 158K
描述
Standard SRAM, 512KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 7 X 9 MM, 0.75 MM PITCH, TBGA-48

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K6F8016R6A-EF700 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：BGA
包装说明：VFBGA,针数：48
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：3A991.B.2.A
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.83
最长访问时间：70 nsJESD-30 代码：R-PBGA-B48
长度：9 mm内存密度：8388608 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：16
功能数量：1端子数量：48
字数：524288 words字数代码：512000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：512KX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：VFBGA
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：PARALLEL认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1 mm最大供电电压 (Vsup)：2.2 V
最小供电电压 (Vsup)：1.65 V标称供电电压 (Vsup)：1.8 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子形式：BALL
端子节距：0.75 mm端子位置：BOTTOM
宽度：7 mmBase Number Matches：1

K6F8016R6A-EF700 数据手册

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K6F8016R6A Family  
CMOS SRAM  
Document Title  
512K x16 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM  
Revision History  
Revision No. History  
Draft Date  
Remark  
0.0  
Initial draft  
August 21, 2000  
Preliminary  
0.1  
Revise  
September 28, 2000 Preliminary  
- Change package type from FBGA to TBGA  
1.0  
1.01  
2.0  
Finalize  
- Improved ICC1 from 3 to 2mA  
- Removed ICC, ISB  
February 15, 2001  
April 3, 2001  
Final  
Revise  
- Errata correction for finalized year 2000 to 2001  
Revise  
September 27, 2001 Revise  
- Isb1 change : 15mA to 10mA  
- IDR change : 8mA to 6mA  
- Icc2 change : 25mA to 20mA for 70ns product  
20mA to 18mA for 85ns product  
- Remove "A1 Index Mark" of 48-TBGA package bottom side  
- Changed 48-TBGA vertical dimension  
A1(typical) 0.55mm to 0.58mm  
A2(typical) 0.35mm to 0.32mm  
The attached datasheets are provided by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right to change the specifications and  
products. SAMSUNG Electronics will answer to yourquestions about device. If you have any questions, please contact the SAMSUNG branch offices.  
1
Revision 2.00  
September 2001  
1234567...9

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