是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | BGA |
包装说明: | TFBGA, BGA60,9X11,32 | 针数: | 60 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.32 | 风险等级: | 5.29 |
访问模式: | MULTI BANK PAGE BURST | 最长访问时间: | 0.4 ns |
其他特性: | AUTO/SELF REFRESH | 最大时钟频率 (fCLK): | 400 MHz |
I/O 类型: | COMMON | 交错的突发长度: | 4,8 |
JESD-30 代码: | R-PBGA-B60 | 长度: | 9.5 mm |
内存密度: | 1073741824 bit | 内存集成电路类型: | DDR DRAM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 60 |
字数: | 134217728 words | 字数代码: | 128000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | 组织: | 128MX8 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TFBGA | 封装等效代码: | BGA60,9X11,32 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 1.8 V |
认证状态: | Not Qualified | 刷新周期: | 8192 |
座面最大高度: | 1.2 mm | 自我刷新: | YES |
连续突发长度: | 4,8 | 子类别: | DRAMs |
最大压摆率: | 0.16 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 1.9 V |
最小供电电压 (Vsup): | 1.7 V | 标称供电电压 (Vsup): | 1.8 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | OTHER | 端子形式: | BALL |
端子节距: | 0.8 mm | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 7.5 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
K4T1G084QF-BIE6T | SAMSUNG |
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DDR DRAM, 128MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA60 | |
K4T1G084QF-BIE70 | SAMSUNG |
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DDR DRAM, 128MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-60 | |
K4T1G084QF-BIF7 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 128MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60 | |
K4T1G084QF-BIF70 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 128MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-60 | |
K4T1G084QF-BIF7T | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 128MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60 | |
K4T1G084QF-BPF70 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 128MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60 | |
K4T1G084QG-BIF70 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 128MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-60 | |
K4T1G084QM-ZCCC | SAMSUNG |
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1Gb M-die DDR2 SDRAM Specification | |
K4T1G084QM-ZCD5 | SAMSUNG |
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1Gb M-die DDR2 SDRAM Specification | |
K4T1G084QQ | SAMSUNG |
获取价格 |
1Gb Q-die DDR2 SDRAM Specification |