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K4T1G084QF-BIF70

更新时间： 2024-10-27 20:06:39

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数	文件大小	规格书
44页	1051K
描述
DDR DRAM, 128MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-60

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K4T1G084QF-BIF70 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	TFBGA, BGA60,9X11,32	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.43	访问模式：	MULTI BANK PAGE BURST
最长访问时间：	0.4 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	400 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	4,8	JESD-30 代码：	R-PBGA-B60
长度：	9.5 mm	内存密度：	1073741824 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	60	字数：	134217728 words
字数代码：	128000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
组织：	128MX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装等效代码：	BGA60,9X11,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	电源：	1.8 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	YES
连续突发长度：	4,8	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.16 mA	最大供电电压 (Vsup)：	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	宽度：	7.5 mm
Base Number Matches：	1

K4T1G084QF-BIF70 数据手册

Rev. 1.2, Jan. 2012

K4T1G084QF

K4T1G164QF

1Gb F-die DDR2 SDRAM Industrial

60FBGA/84FBGA with Lead-Free & Halogen-Free

(RoHS compliant)

datasheet

SAMSUNG ELECTRONICS RESERVES THE RIGHT TO CHANGE PRODUCTS, INFORMATION AND

SPECIFICATIONS WITHOUT NOTICE.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K4T1G084QF-BIF7T	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 128MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60
K4T1G084QF-BPF70	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 128MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60
K4T1G084QG-BIF70	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 128MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-60
K4T1G084QM-ZCCC	SAMSUNG	获取价格	1Gb M-die DDR2 SDRAM Specification
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K4T1G084QQ-HCE6	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 128MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA60

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