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K4T1G084QQ-HYE6

更新时间： 2024-10-27 20:04:27

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数	文件大小	规格书
42页	831K
描述
DDR DRAM, 128MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA60

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K4T1G084QQ-HYE6 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
最长访问时间：	0.45 ns	最大时钟频率 (fCLK)：	333 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	4,8
JESD-30 代码：	R-PBGA-B60	JESD-609代码：	e1
内存密度：	1073741824 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM
内存宽度：	8	湿度敏感等级：	3
端子数量：	60	字数：	134217728 words
字数代码：	128000000	组织：	128MX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	FBGA	封装等效代码：	BGA60,9X11,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, FINE PITCH
电源：	1.55 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	连续突发长度：	4,8
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.225 mA
标称供电电压 (Vsup)：	1.55 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	Base Number Matches：	1

K4T1G084QQ-HYE6 数据手册

K4T1G044QQ

K4T1G084QQ

DDR2 1.55V SDRAM

1Gb Q-die DDR2 1.55V SDRAM Specification

60FBGA with Lead-Free & Halogen-Free

(RoHS compliant)

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AND IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE.

NOTHING IN THIS DOCUMENT SHALL BE CONSTRUED AS GRANTING ANY LICENSE,

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* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

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Rev. 1.2 December 2008

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K4T1G084QQ-HYE60	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 128MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA60, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-60
K4T1G164QA-ZCCC	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 64MX16, 0.6ns, CMOS, PBGA84, ROHS COMPLIANT, FBGA-84
K4T1G164QA-ZCD5	SAMSUNG	获取价格	1Gb A-die DDR2 SDRAM Specification
K4T1G164QA-ZCD50	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 64MX16, 0.5ns, CMOS, PBGA84, ROHS COMPLIANT, FBGA-84
K4T1G164QA-ZCD5T	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 64MX16, 0.5ns, CMOS, PBGA84, ROHS COMPLIANT, FBGA-84
K4T1G164QA-ZCE6	SAMSUNG	获取价格	1Gb A-die DDR2 SDRAM Specification
K4T1G164QA-ZCE60	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 64MX16, 0.45ns, CMOS, PBGA84, ROHS COMPLIANT, FBGA-84
K4T1G164QD	SAMSUNG	获取价格	1Gb D-die DDR2 SDRAM Specification
K4T1G164QD-ZCCC	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 64MX16, 0.6ns, CMOS, PBGA84
K4T1G164QD-ZCCCT	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 64MX16, 0.6ns, CMOS, PBGA84

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