是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | BGA | 包装说明: | TFBGA, BGA84,9X15,32 |
针数: | 84 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.32 |
风险等级: | 5.69 | 访问模式: | MULTI BANK PAGE BURST |
最长访问时间: | 0.45 ns | 其他特性: | AUTO/SELF REFRESH |
最大时钟频率 (fCLK): | 333 MHz | I/O 类型: | COMMON |
交错的突发长度: | 4,8 | JESD-30 代码: | R-PBGA-B84 |
JESD-609代码: | e1 | 长度: | 18 mm |
内存密度: | 1073741824 bit | 内存集成电路类型: | DDR DRAM |
内存宽度: | 16 | 湿度敏感等级: | 3 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 84 | 字数: | 67108864 words |
字数代码: | 64000000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 64MX16 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TFBGA |
封装等效代码: | BGA84,9X15,32 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
电源: | 1.8 V | 认证状态: | Not Qualified |
刷新周期: | 8192 | 座面最大高度: | 1.2 mm |
自我刷新: | YES | 连续突发长度: | 4,8 |
最大待机电流: | 0.015 A | 子类别: | DRAMs |
最大压摆率: | 0.35 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 1.9 V |
最小供电电压 (Vsup): | 1.7 V | 标称供电电压 (Vsup): | 1.8 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | OTHER | 端子面层: | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
端子形式: | BALL | 端子节距: | 0.8 mm |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 |
宽度: | 11 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
K4T1G164QD | SAMSUNG |
获取价格 |
1Gb D-die DDR2 SDRAM Specification | |
K4T1G164QD-ZCCC | SAMSUNG |
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DDR DRAM, 64MX16, 0.6ns, CMOS, PBGA84 | |
K4T1G164QD-ZCCCT | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 64MX16, 0.6ns, CMOS, PBGA84 | |
K4T1G164QD-ZCD5T | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 64MX16, 0.5ns, CMOS, PBGA84 | |
K4T1G164QD-ZCE60 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 64MX16, 0.45ns, CMOS, PBGA84, FBGA-84 | |
K4T1G164QD-ZCE6T | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 64MX16, 0.45ns, CMOS, PBGA84 | |
K4T1G164QD-ZCE7 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 64MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84 | |
K4T1G164QD-ZCE70 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 64MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84, FBGA-84 | |
K4T1G164QD-ZCE7T | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 64MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84 | |
K4T1G164QD-ZCF7 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 64MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84 |