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K4T1G164QA-ZCE60

更新时间： 2024-10-27 15:36:03

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数	文件大小	规格书
28页	626K
描述
DDR DRAM, 64MX16, 0.45ns, CMOS, PBGA84, ROHS COMPLIANT, FBGA-84

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K4T1G164QA-ZCE60 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	TFBGA, BGA84,9X15,32
针数：	84	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.32
风险等级：	5.69	访问模式：	MULTI BANK PAGE BURST
最长访问时间：	0.45 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	333 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	4,8	JESD-30 代码：	R-PBGA-B84
JESD-609代码：	e1	长度：	18 mm
内存密度：	1073741824 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM
内存宽度：	16	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	84	字数：	67108864 words
字数代码：	64000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：
组织：	64MX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装等效代码：	BGA84,9X15,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	1.8 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	座面最大高度：	1.2 mm
自我刷新：	YES	连续突发长度：	4,8
最大待机电流：	0.015 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.35 mA	最大供电电压 (Vsup)：	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
宽度：	11 mm	Base Number Matches：	1

K4T1G164QA-ZCE60 数据手册

K4T1G044QA

K4T1G084QA

K4T1G164QA

1Gb DDR2 SDRAM

1Gb A-die DDR2 SDRAM Specification

68FBGA & 84FBGA with Pb-Free

(RoHS compliant)

INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED IN RELATION TO SAMSUNG PRODUCTS,

AND IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE.

NOTHING IN THIS DOCUMENT SHALL BE CONSTRUED AS GRANTING ANY LICENSE,

EXPRESS OR IMPLIED, BY ESTOPPEL OR OTHERWISE,

TO ANY INTELLECTUAL PROPERTY RIGHTS IN SAMSUNG PRODUCTS OR TECHNOLOGY. ALL

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1. For updates or additional information about Samsung products, contact your nearest Samsung office.

2. Samsung products are not intended for use in life support, critical care, medical, safety equipment, or similar

applications where Product failure could result in loss of life or personal or physical harm, or any military or

defense application, or any governmental procurement to which special terms or provisions may apply.

* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

Rev. 1.4 March 2007

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K4T1G164QD	SAMSUNG	获取价格	1Gb D-die DDR2 SDRAM Specification
K4T1G164QD-ZCCC	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 64MX16, 0.6ns, CMOS, PBGA84
K4T1G164QD-ZCCCT	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 64MX16, 0.6ns, CMOS, PBGA84
K4T1G164QD-ZCD5T	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 64MX16, 0.5ns, CMOS, PBGA84
K4T1G164QD-ZCE60	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 64MX16, 0.45ns, CMOS, PBGA84, FBGA-84
K4T1G164QD-ZCE6T	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 64MX16, 0.45ns, CMOS, PBGA84
K4T1G164QD-ZCE7	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 64MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84
K4T1G164QD-ZCE70	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 64MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84, FBGA-84
K4T1G164QD-ZCE7T	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 64MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84
K4T1G164QD-ZCF7	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 64MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84

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