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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FBGA, BGA84,9X15,32 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| 最长访问时间： | 0.4 ns | 最大时钟频率 (fCLK)： | 400 MHz |
| I/O 类型： | COMMON | 交错的突发长度： | 4,8 |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B84 | 内存密度： | 1073741824 bit |
| 内存集成电路类型： | DDR DRAM | 内存宽度： | 16 |
| 湿度敏感等级： | 3 | 端子数量： | 84 |
| 字数： | 67108864 words | 字数代码： | 64000000 |
| 组织： | 64MX16 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | FBGA |
| 封装等效代码： | BGA84,9X15,32 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY, FINE PITCH | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 电源： | 1.8 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 刷新周期： | 8192 | 连续突发长度： | 4,8 |
| 最大待机电流： | 0.015 A | 子类别： | DRAMs |
| 最大压摆率： | 0.28 mA | 标称供电电压 (Vsup)： | 1.8 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 端子形式： | BALL | 端子节距： | 0.8 mm |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| K4T1G164QD-ZCE70 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 64MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84, FBGA-84 |
|
| K4T1G164QD-ZCE7T | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 64MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84 |
|
| K4T1G164QD-ZCF7 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 64MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84 |
|
| K4T1G164QD-ZCF70 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 64MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84, FBGA-84 |
|
| K4T1G164QD-ZCF7T | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 64MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84 |
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| K4T1G164QD-ZLCC | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 64MX16, 0.6ns, CMOS, PBGA84 |
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| K4T1G164QD-ZLCC0 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 64MX16, 0.6ns, CMOS, PBGA84, ROHS COMPLIANT, FBGA-84 |
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| K4T1G164QD-ZLD5 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 64MX16, 0.5ns, CMOS, PBGA84 |
|
| K4T1G164QD-ZLD50 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 64MX16, 0.5ns, CMOS, PBGA84, ROHS COMPLIANT, FBGA-84 |
|
| K4T1G164QD-ZLD5T | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 64MX16, 0.5ns, CMOS, PBGA84 |
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