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K4T1G164QD-ZCE70

更新时间： 2024-02-20 13:39:20

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K4T1G164QD-ZCE70 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	TFBGA, BGA84,9X15,32
针数：	84	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.32
风险等级：	5.69	访问模式：	MULTI BANK PAGE BURST
最长访问时间：	0.4 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	400 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	4,8	JESD-30 代码：	R-PBGA-B84
长度：	13 mm	内存密度：	1073741824 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	84	字数：	67108864 words
字数代码：	64000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	95 °C	最低工作温度：
组织：	64MX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装等效代码：	BGA84,9X15,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	电源：	1.8 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	YES
连续突发长度：	4,8	最大待机电流：	0.015 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.28 mA
最大供电电压 (Vsup)：	1.9 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	宽度：	9 mm
Base Number Matches：	1

K4T1G084QD

K4T1G164QD

DDR2 SDRAM

1Gb D-die DDR2 SDRAM Specification

60FBGA & 84FBGA with Lead-Free

(RoHS compliant)

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Rev. 1.2 July 2008

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
K4T1G164QD-ZCE7T	SAMSUNG	DDR DRAM, 64MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84	获取价格
K4T1G164QD-ZCF7	SAMSUNG	DDR DRAM, 64MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84	获取价格
K4T1G164QD-ZCF70	SAMSUNG	DDR DRAM, 64MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84, FBGA-84	获取价格
K4T1G164QD-ZCF7T	SAMSUNG	DDR DRAM, 64MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84	获取价格
K4T1G164QD-ZLCC	SAMSUNG	DDR DRAM, 64MX16, 0.6ns, CMOS, PBGA84	获取价格
K4T1G164QD-ZLCC0	SAMSUNG	DDR DRAM, 64MX16, 0.6ns, CMOS, PBGA84, ROHS COMPLIANT, FBGA-84	获取价格