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Datasheet > K4T1G164QD-ZCE7T

K4T1G164QD-ZCE7T PDF预览

K4T1G164QD-ZCE7T

更新时间： 2024-01-06 07:25:31

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数	文件大小	规格书
46页	959K
描述
DDR DRAM, 64MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84

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K4T1G164QD-ZCE7T 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	FBGA, BGA84,9X15,32
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.84
最长访问时间：	0.4 ns	最大时钟频率 (fCLK)：	400 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	4,8
JESD-30 代码：	R-PBGA-B84	JESD-609代码：	e1
内存密度：	1073741824 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM
内存宽度：	16	湿度敏感等级：	3
端子数量：	84	字数：	67108864 words
字数代码：	64000000	组织：	64MX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	FBGA	封装等效代码：	BGA84,9X15,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	1.8 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
连续突发长度：	4,8	最大待机电流：	0.015 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.28 mA
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

K4T1G164QD-ZCE7T 数据手册

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K4T1G084QD

K4T1G164QD

DDR2 SDRAM

1Gb D-die DDR2 SDRAM Specification

60FBGA & 84FBGA with Lead-Free

(RoHS compliant)

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Rev. 1.2 July 2008

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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K4T1G164QD-ZLCC0	SAMSUNG	DDR DRAM, 64MX16, 0.6ns, CMOS, PBGA84, ROHS COMPLIANT, FBGA-84	获取价格
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