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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FBGA, BGA84,9X15,32 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.84 |
| 最长访问时间： | 0.4 ns | 最大时钟频率 (fCLK)： | 400 MHz |
| I/O 类型： | COMMON | 交错的突发长度： | 4,8 |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B84 | JESD-609代码： | e1 |
| 内存密度： | 1073741824 bit | 内存集成电路类型： | DDR DRAM |
| 内存宽度： | 16 | 湿度敏感等级： | 3 |
| 端子数量： | 84 | 字数： | 67108864 words |
| 字数代码： | 64000000 | 组织： | 64MX16 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | FBGA | 封装等效代码： | BGA84,9X15,32 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | GRID ARRAY, FINE PITCH |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 电源： | 1.8 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 刷新周期： | 8192 |
| 连续突发长度： | 4,8 | 最大待机电流： | 0.015 A |
| 子类别： | DRAMs | 最大压摆率： | 0.28 mA |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 1.8 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
| 端子形式： | BALL | 端子节距： | 0.8 mm |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| K4T1G164QD-ZCF7 | SAMSUNG | DDR DRAM, 64MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84 |
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| K4T1G164QD-ZCF70 | SAMSUNG | DDR DRAM, 64MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84, FBGA-84 |
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| K4T1G164QD-ZCF7T | SAMSUNG | DDR DRAM, 64MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84 |
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| K4T1G164QD-ZLCC | SAMSUNG | DDR DRAM, 64MX16, 0.6ns, CMOS, PBGA84 |
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| K4T1G164QD-ZLCC0 | SAMSUNG | DDR DRAM, 64MX16, 0.6ns, CMOS, PBGA84, ROHS COMPLIANT, FBGA-84 |
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| K4T1G164QD-ZLD5 | SAMSUNG | DDR DRAM, 64MX16, 0.5ns, CMOS, PBGA84 |
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