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K4T1G084QM-ZCCC

更新时间: 2024-10-26 22:07:39
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 内存集成电路动态存储器双倍数据速率时钟
页数 文件大小 规格书
29页 457K
描述
1Gb M-die DDR2 SDRAM Specification

K4T1G084QM-ZCCC 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete包装说明:BGA, BGA68,9X19,32
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.84
Is Samacsys:N访问模式:MULTI BANK PAGE BURST
最长访问时间:0.6 ns其他特性:AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK):200 MHzI/O 类型:COMMON
交错的突发长度:4,8JESD-30 代码:R-PBGA-B68
长度:21.7 mm内存密度:1073741824 bit
内存集成电路类型:DDR DRAM内存宽度:8
湿度敏感等级:3功能数量:1
端口数量:1端子数量:68
字数:134217728 words字数代码:128000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:组织:128MX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:BGA封装等效代码:BGA68,9X19,32
封装形状:RECTANGULAR封装形式:GRID ARRAY
峰值回流温度(摄氏度):260电源:1.8 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:8192
座面最大高度:1.2 mm自我刷新:YES
连续突发长度:4,8子类别:DRAMs
最大供电电压 (Vsup):1.9 V最小供电电压 (Vsup):1.7 V
标称供电电压 (Vsup):1.8 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:OTHER
端子形式:BALL端子节距:0.8 mm
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:11 mmBase Number Matches:1

K4T1G084QM-ZCCC 数据手册

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1Gb M-die DDR2 SDRAM  
DDR2 SDRAM  
1Gb M-die DDR2 SDRAM Specification  
Version 1.1  
January 2005  
Rev.1.1 Jan. 2005  
Page 1 of 29  

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