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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | BGA, BGA68,9X19,32 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.84 |
| Is Samacsys： | N | 访问模式： | MULTI BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间： | 0.6 ns | 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 200 MHz | I/O 类型： | COMMON |
| 交错的突发长度： | 4,8 | JESD-30 代码： | R-PBGA-B68 |
| 长度： | 21.7 mm | 内存密度： | 1073741824 bit |
| 内存集成电路类型： | DDR DRAM | 内存宽度： | 8 |
| 湿度敏感等级： | 3 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 68 |
| 字数： | 134217728 words | 字数代码： | 128000000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 128MX8 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | BGA | 封装等效代码： | BGA68,9X19,32 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | GRID ARRAY |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 电源： | 1.8 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 刷新周期： | 8192 |
| 座面最大高度： | 1.2 mm | 自我刷新： | YES |
| 连续突发长度： | 4,8 | 子类别： | DRAMs |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 1.9 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 1.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 1.8 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | OTHER |
| 端子形式： | BALL | 端子节距： | 0.8 mm |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 11 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| K4T1G084QM-ZCD5 | SAMSUNG |
获取价格 |
1Gb M-die DDR2 SDRAM Specification |
|
| K4T1G084QQ | SAMSUNG |
获取价格 |
1Gb Q-die DDR2 SDRAM Specification |
|
| K4T1G084QQ-HC(L)E6 | SAMSUNG |
获取价格 |
1Gb Q-die DDR2 SDRAM Specification |
|
| K4T1G084QQ-HC(L)E7 | SAMSUNG |
获取价格 |
1Gb Q-die DDR2 SDRAM Specification |
|
| K4T1G084QQ-HC(L)F7 | SAMSUNG |
获取价格 |
1Gb Q-die DDR2 SDRAM Specification |
|
| K4T1G084QQ-HCE6 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 128MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA60 |
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| K4T1G084QQ-HCE6T | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 128MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA60 |
|
| K4T1G084QQ-HCE7 | SAMSUNG |
获取价格 |
1Gb Q-die DDR2 SDRAM Specification |
|
| K4T1G084QQ-HCE70 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 128MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, FBGA-60 |
|
| K4T1G084QQ-HCF7 | SAMSUNG |
获取价格 |
1Gb Q-die DDR2 SDRAM Specification |
|
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