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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.82 |
| 最长访问时间： | 0.45 ns | 最大时钟频率 (fCLK)： | 333 MHz |
| I/O 类型： | COMMON | 交错的突发长度： | 4,8 |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B60 | JESD-609代码： | e1 |
| 内存密度： | 1073741824 bit | 内存集成电路类型： | DDR DRAM |
| 内存宽度： | 8 | 湿度敏感等级： | 3 |
| 端子数量： | 60 | 字数： | 134217728 words |
| 字数代码： | 128000000 | 组织： | 128MX8 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | FBGA | 封装等效代码： | BGA60,9X11,32 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | GRID ARRAY, FINE PITCH |
| 电源： | 1.8 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 刷新周期： | 8192 | 连续突发长度： | 4,8 |
| 子类别： | DRAMs | 最大压摆率： | 0.23 mA |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 1.8 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
| 端子形式： | BALL | 端子节距： | 0.8 mm |
| 端子位置： | BOTTOM | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| K4T1G084QQ-HCE6T | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 128MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA60 |
|
| K4T1G084QQ-HCE7 | SAMSUNG |
获取价格 |
1Gb Q-die DDR2 SDRAM Specification |
|
| K4T1G084QQ-HCE70 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 128MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, FBGA-60 |
|
| K4T1G084QQ-HCF7 | SAMSUNG |
获取价格 |
1Gb Q-die DDR2 SDRAM Specification |
|
| K4T1G084QQ-HCF7T | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 128MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60 |
|
| K4T1G084QQ-HCLE6 | SAMSUNG |
获取价格 |
1Gb Q-die DDR2 SDRAM Specification |
|
| K4T1G084QQ-HCLE7 | SAMSUNG |
获取价格 |
1Gb Q-die DDR2 SDRAM Specification |
|
| K4T1G084QQ-HCLF7 | SAMSUNG |
获取价格 |
1Gb Q-die DDR2 SDRAM Specification |
|
| K4T1G084QQ-HLD60 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 128MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, FBGA-60 |
|
| K4T1G084QQ-HLE6 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 128MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA60 |
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