5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FBGA, BGA60,9X11,32 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.32 | 最长访问时间： | 0.45 ns |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 333 MHz | I/O 类型： | COMMON |
| 交错的突发长度： | 4,8 | JESD-30 代码： | R-PBGA-B60 |
| 内存密度： | 1073741824 bit | 内存集成电路类型： | DDR DRAM |
| 内存宽度： | 8 | 湿度敏感等级： | 3 |
| 端子数量： | 60 | 字数： | 134217728 words |
| 字数代码： | 128000000 | 组织： | 128MX8 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | FBGA | 封装等效代码： | BGA60,9X11,32 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | GRID ARRAY, FINE PITCH |
| 电源： | 1.8 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 刷新周期： | 8192 | 连续突发长度： | 4,8 |
| 子类别： | DRAMs | 最大压摆率： | 0.145 mA |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 1.8 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 0.8 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| K4T1G084QF-BCE6000 | SAMSUNG |
获取价格 |
1Gb F-die DDR2 SDRAM |
|
| K4T1G084QF-BCE7 | SAMSUNG |
获取价格 |
1Gb F-die DDR2 SDRAM |
|
| K4T1G084QF-BCE7T | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 128MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60 |
|
| K4T1G084QF-BCF7 | SAMSUNG |
获取价格 |
1Gb F-die DDR2 SDRAM |
|
| K4T1G084QF-BCF70 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 128MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-60 |
|
| K4T1G084QF-BIE6T | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 128MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA60 |
|
| K4T1G084QF-BIE70 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 128MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-60 |
|
| K4T1G084QF-BIF7 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 128MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60 |
|
| K4T1G084QF-BIF70 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 128MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-60 |
|
| K4T1G084QF-BIF7T | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 128MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60 |
|
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
