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| 生命周期： | Active | 包装说明： | SOP, |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.69 | 访问模式： | FOUR BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间： | 5.4 ns | 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G54 | 内存密度： | 268435456 bit |
| 内存集成电路类型： | SYNCHRONOUS DRAM | 内存宽度： | 16 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 54 | 字数： | 16777216 words |
| 字数代码： | 16000000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 16MX16 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | SOP | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 自我刷新： | YES |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| K4S561632D-TC/L1H | SAMSUNG |
获取价格 |
256Mbit SDRAM 4M x 16bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
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| K4S561632D-TC/L1L | SAMSUNG |
获取价格 |
256Mbit SDRAM 4M x 16bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
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| K4S561632D-TC/L60 | SAMSUNG |
获取价格 |
256Mbit SDRAM 4M x 16bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
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| K4S561632D-TC/L75 | SAMSUNG |
获取价格 |
256Mbit SDRAM 4M x 16bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
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| K4S561632D-TC/L7C | SAMSUNG |
获取价格 |
256Mbit SDRAM 4M x 16bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
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| K4S561632D-TC1L | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 16MX16, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54 |
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| K4S561632D-TC60 | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 16MX16, 5ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54 |
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| K4S561632D-TC75 | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54 |
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| K4S561632D-TC75000 | SAMSUNG |
获取价格 |
256Mbit SDRAM 4M x 16bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
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| K4S561632D-TC75T | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54 |
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