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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | TSOP, TSOP54,.46,32 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.73 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 5.4 ns |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 133 MHz | I/O 类型： | COMMON |
| 交错的突发长度： | 1,2,4,8 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G54 |
| 内存密度： | 268435456 bit | 内存集成电路类型： | SYNCHRONOUS DRAM |
| 内存宽度： | 16 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 端子数量： | 54 | 字数： | 16777216 words |
| 字数代码： | 16000000 | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 16MX16 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TSOP | 封装等效代码： | TSOP54,.46,32 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 | 电源： | 3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 刷新周期： | 8192 |
| 连续突发长度： | 1,2,4,8,FP | 最大待机电流： | 0.002 A |
| 子类别： | DRAMs | 最大压摆率： | 0.18 mA |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 0.8 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| K4S561632E-TL60 | SAMSUNG |
获取价格 |
256Mb E-die SDRAM Specification |
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| K4S561632E-TL75 | SAMSUNG |
获取价格 |
256Mb E-die SDRAM Specification |
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| K4S561632E-UC60 | SAMSUNG |
获取价格 |
256Mb E-die SDRAM Specification 54 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant) |
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| K4S561632E-UC600 | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 16MX16, 5ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, |
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| K4S561632E-UC75 | SAMSUNG |
获取价格 |
256Mb E-die SDRAM Specification 54 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant) |
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| K4S561632E-UC750 | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, LEAD FRE |
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| K4S561632E-UC75T | SAMSUNG |
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暂无描述 |
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| K4S561632E-UL60 | SAMSUNG |
获取价格 |
256Mb E-die SDRAM Specification 54 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant) |
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| K4S561632E-UL75 | SAMSUNG |
获取价格 |
256Mb E-die SDRAM Specification 54 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant) |
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| K4S561632E-UL750 | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, LEAD FRE |
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