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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TSOP2 |
| 包装说明： | TSOP2, | 针数： | 54 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.24 | 风险等级： | 5.15 |
| 访问模式： | FOUR BANK PAGE BURST | 最长访问时间： | 5.4 ns |
| 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH | JESD-30 代码： | R-PDSO-G54 |
| 长度： | 22.22 mm | 内存密度： | 268435456 bit |
| 内存集成电路类型： | SYNCHRONOUS DRAM | 内存宽度： | 16 |
| 湿度敏感等级： | 2 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 54 |
| 字数： | 16777216 words | 字数代码： | 16000000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 16MX16 | |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TSOP2 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1.2 mm | 自我刷新： | YES |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 0.8 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 宽度： | 10.16 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| K4S561632E-UC75T | SAMSUNG |
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暂无描述 |
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| K4S561632E-UL60 | SAMSUNG |
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256Mb E-die SDRAM Specification 54 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant) |
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| K4S561632E-UL75 | SAMSUNG |
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256Mb E-die SDRAM Specification 54 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant) |
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| K4S561632E-UL750 | SAMSUNG |
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Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, LEAD FRE |
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| K4S561632H | SAMSUNG |
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SDRAM Product Guide |
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| K4S561632H-TC60 | SAMSUNG |
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Synchronous DRAM, 16MX16, 5ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54 |
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| K4S561632H-TI750 | SAMSUNG |
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Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INTCH, 0.80 MM PITCH, TSOP-54 |
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| K4S561632H-TL60 | SAMSUNG |
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Synchronous DRAM, 16MX16, 5ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54 |
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| K4S561632H-TL75 | SAMSUNG |
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Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54 |
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| K4S561632H-TL75T | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54 |
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