Datasheet > K4S561632J-UL60T

K4S561632J-UL60T

更新时间： 2024-11-12 05:19:59

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
15页	292K
描述
Synchronous DRAM, 16MX16, 5ns, CMOS, PDSO54

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

K4S561632J-UL60T 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	TSOP, TSOP54,.46,32
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
最长访问时间：	5 ns	最大时钟频率 (fCLK)：	166 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	1,2,4,8
JESD-30 代码：	R-PDSO-G54	JESD-609代码：	e3
内存密度：	268435456 bit	内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度：	16	湿度敏感等级：	1
端子数量：	54	字数：	16777216 words
字数代码：	16000000	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	16MX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP	封装等效代码：	TSOP54,.46,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：	225	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
连续突发长度：	1,2,4,8,FP	最大待机电流：	0.002 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.11 mA
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED

K4S561632J-UL60T 数据手册

K4S560432J

K4S560832J

K4S561632J

Synchronous DRAM

256Mb J-die SDRAM Specification

54 TSOP-II

with Lead-Free & Halogen-Free

(RoHS compliant)

INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED IN RELATION TO SAMSUNG PRODUCTS,

AND IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. NOTHING IN THIS DOCUMENT SHALL BE

CONSTRUED AS GRANTING ANY LICENSE, EXPRESS OR IMPLIED, BY ESTOPPEL OR OTHER-

WISE, TO ANY INTELLECTUAL PROPERTY RIGHTS IN SAMSUNG PRODUCTS OR TECHNOL-

OGY. ALL INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED ON AS "AS IS" BASIS WITHOUT

GUARANTEE OR WARRANTY OF ANY KIND.

1. For updates or additional information about Samsung products, contact your nearest Samsung office.

2. Samsung products are not intended for use in life support, critical care, medical, safety equipment, or similar

applications where Product failure could result in loss of life or personal or physical harm, or any military or

defense application, or any governmental procurement to which special terms or provisions may apply.

* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

Rev. 1.22 August 2008

1 of 15

12 3 4 5 6 7...15

中文翻译

下载PDF

与K4S561632J-UL60T相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K4S561632J-UP75	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, ROHS COM
K4S561632N	SAMSUNG	获取价格	256Mb N-die SDRAM
K4S561632N-LC75	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, HALOGEN
K4S561632N-LC750	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, HALOGEN
K4S561632N-LC75T	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54
K4S561632N-LL600	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 16MX16, 5ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, HALOGEN FR
K4S561632N-LL750	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, HALOGEN
K4S561632N-LL75T	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54
K4S561633C-BL1L	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 16MX16, 7ns, CMOS, PBGA54, CSP-54
K4S561633C-BL75	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, CSP-54

与K4S561632J-UL60T相关文章

国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

23
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

7
AMD宣布全球裁员约1000人，调整战略聚焦增长
2024-11-14

8
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

31

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

K4S561632J-UL60T

K4S561632J-UL60T 技术参数

K4S561632J-UL60T 数据手册

与K4S561632J-UL60T相关器件

与K4S561632J-UL60T相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

K4S561632J-UL60T

K4S561632J-UL60T 技术参数

K4S561632J-UL60T 数据手册

与K4S561632J-UL60T相关器件

与K4S561632J-UL60T相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？