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K4S561633C-BL75

更新时间： 2023-01-03 06:07:49

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
8页	62K
描述
Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, CSP-54

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K4S561633C-BL75 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	VFBGA, BGA54,9X9,32
针数：	54	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.24
风险等级：	5.84	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	5.4 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	133 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	1,2,4,8	JESD-30 代码：	R-PBGA-B54
长度：	15.1 mm	内存密度：	268435456 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM	内存宽度：	16
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	54
字数：	16777216 words	字数代码：	16000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：	-25 °C	组织：	16MX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	VFBGA	封装等效代码：	BGA54,9X9,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	3 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
座面最大高度：	1 mm	自我刷新：	YES
连续突发长度：	1,2,4,8,FP	最大待机电流：	0.0005 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.185 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	8.1 mm	Base Number Matches：	1

K4S561633C-R(B)L/N/P

CMOS SDRAM

16Mx16

SDRAM 54CSP

(VDD/VDDQ 3.0V/3.0V or 3.3V/3.3V)

Revision 1.4

December 2002

Rev. 1.4 Dec. 2002

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K4S561633C-BN1H	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 16MX16, 7ns, CMOS, PBGA54, CSP-54
K4S561633C-BN1L	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 16MX16, 7ns, CMOS, PBGA54, CSP-54
K4S561633C-BN75	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, CSP-54
K4S561633C-BP1H	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 16MX16, 7ns, CMOS, PBGA54, CSP-54
K4S561633C-BP1L	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 16MX16, 7ns, CMOS, PBGA54, CSP-54
K4S561633C-BP75	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, CSP-54
K4S561633C-N	SAMSUNG	获取价格	16Mx16 SDRAM 54CSP
K4S561633C-P1H	SAMSUNG	获取价格	16Mx16 SDRAM 54CSP
K4S561633C-P1L	SAMSUNG	获取价格	16Mx16 SDRAM 54CSP
K4S561633C-P75	SAMSUNG	获取价格	16Mx16 SDRAM 54CSP