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K4S561632H-UI75T

更新时间： 2024-01-29 01:18:41

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
14页	217K
描述
Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INTCH, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TSOP-54

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K4S561632H-UI75T 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP
包装说明：	TSOP2,	针数：	54
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.24	风险等级：	5.15
Is Samacsys：	N	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	5.4 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码：	R-PDSO-G54	长度：	22.22 mm
内存密度：	268435456 bit	内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	54
字数：	16777216 words	字数代码：	16000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	16MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP2
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
自我刷新：	YES	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

K4S561632H-UI75T 数据手册

Industrial Synchronous DRAM

K4S561632H

256Mb H-die SDRAM Specification

Industrial Temp. -40 to 85°C

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Rev. 1.1 May 2006

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K4S561632H-UL60	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 16MX16, 5ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPL
K4S561632H-UL600	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 16MX16, 5ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPL
K4S561632H-UP750	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INTCH, 0.80 MM PITCH, ROHS CO
K4S561632J	SAMSUNG	获取价格	SDRAM Product Guide
K4S561632J-UC/L50	SAMSUNG	获取价格	256Mb J-die SDRAM Specification
K4S561632J-UC/L60	SAMSUNG	获取价格	256Mb J-die SDRAM Specification
K4S561632J-UC/L75	SAMSUNG	获取价格	256Mb J-die SDRAM Specification
K4S561632J-UC50	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 16MX16, 4.5ns, CMOS, PDSO54
K4S561632J-UC60	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 16MX16, 5ns, CMOS, PDSO54,
K4S561632J-UI60	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 16MX16, 5ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPL

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