Datasheet > 存储 > DRAM> K4S561632E-TC60

K4S561632E-TC60

更新时间： 2024-02-15 01:50:13

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		存储内存集成电路光电二极管电子动态存储器时钟
页数	文件大小	规格书
14页	198K
描述
256Mb E-die SDRAM Specification

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

K4S561632E-TC60 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP2	包装说明：	TSOP2, TSOP54,.46,32
针数：	54	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.24
风险等级：	5.56	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	5 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	166 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	1,2,4,8	JESD-30 代码：	R-PDSO-G54
JESD-609代码：	e0	长度：	22.22 mm
内存密度：	268435456 bit	内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	54
字数：	16777216 words	字数代码：	16000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	16MX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装等效代码：	TSOP54,.46,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	YES
连续突发长度：	1,2,4,8,FP	最大待机电流：	0.002 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.2 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

K4S561632E-TC60 数据手册

CMOS SDRAM

SDRAM 256Mb E-die (x4, x8, x16)

256Mb E-die SDRAM Specification

Revision 1.5

May 2004

* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

Rev. 1.5 May 2004

12 3 4 5 6 7...14

下载PDF

与K4S561632E-TC60相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
K4S561632E-TC75	SAMSUNG	256Mb E-die SDRAM Specification	获取价格
K4S561632E-TC75T00	SAMSUNG	Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54	获取价格
K4S561632E-TL60	SAMSUNG	256Mb E-die SDRAM Specification	获取价格
K4S561632E-TL75	SAMSUNG	256Mb E-die SDRAM Specification	获取价格
K4S561632E-UC60	SAMSUNG	256Mb E-die SDRAM Specification 54 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant)	获取价格
K4S561632E-UC600	SAMSUNG	Synchronous DRAM, 16MX16, 5ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE,	获取价格