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K4N51163QC-ZC2A

更新时间： 2024-11-18 22:40:59

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三星 - SAMSUNG		存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率时钟
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512Mbit gDDR2 SDRAM

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K4N51163QC-ZC2A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FBGA, BGA84,9X15,32	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	0.45 ns	最大时钟频率 (fCLK)：	350 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	4,8
JESD-30 代码：	R-PBGA-B84	JESD-609代码：	e1
内存密度：	536870912 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM
内存宽度：	16	湿度敏感等级：	3
端子数量：	84	字数：	33554432 words
字数代码：	32000000	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：		组织：	32MX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	FBGA	封装等效代码：	BGA84,9X15,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	1.8 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
连续突发长度：	4,8	最大待机电流：	0.01 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.35 mA
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子面层：	TIN SILVER COPPER	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	Base Number Matches：	1

K4N51163QC-ZC2A 数据手册

512M gDDR2 SDRAM

K4N51163QC-ZC

512Mbit gDDR2 SDRAM

Revision 1.5

October 2005

Notice

INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED IN RELATION TO SAMSUNG PRODUCTS,

AND IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE.

NOTHING IN THIS DOCUMENT SHALL BE CONSTRUED AS GRANTING ANY LICENSE,

EXPRESS OR IMPLIED, BY ESTOPPEL OR OTHERWISE,

TO ANY INTELLECTUAL PROPERTY RIGHTS IN SAMSUNG PRODUCTS OR TECHNOLOGY. ALL

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ON AS "AS IS" BASIS WITHOUT GUARANTEE OR WARRANTY OF ANY KIND.

1. For updates or additional information about Samsung products, contact your nearest Samsung office.

2. Samsung products are not intended for use in life support, critical care, medical, safety equipment, or similar

applications where Product failure could result in loss of life or personal or physical harm, or any military or

defense application, or any governmental procurement to which special terms or provisions may apply.

* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

Rev 1.5 Oct. 2005

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K4N51163QC-ZC2A0	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 32MX16, 0.45ns, CMOS, PBGA84, ROHS COMPLIANT, FBGA-84
K4N51163QC-ZC2AT	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 32MX16, 0.45ns, CMOS, PBGA84
K4N51163QC-ZC33	SAMSUNG	获取价格	512Mbit gDDR2 SDRAM
K4N51163QC-ZC330	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 32MX16, 0.47ns, CMOS, PBGA84, ROHS COMPLIANT, FBGA-84
K4N51163QC-ZC33T	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 32MX16, 0.47ns, CMOS, PBGA84
K4N51163QC-ZC36	SAMSUNG	获取价格	512Mbit gDDR2 SDRAM
K4N51163QC-ZC360	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 32MX16, 0.5ns, CMOS, PBGA84, ROHS COMPLIANT, FBGA-84
K4N51163QC-ZC36T	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 32MX16, 0.5ns, CMOS, PBGA84
K4N51163QE-ZC20	SAMSUNG	获取价格	Cache DRAM Module, 32MX16, 0.35ns, CMOS, PBGA84
K4N51163QE-ZC25	SAMSUNG	获取价格	Cache DRAM Module, 32MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84

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