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K4N56163QF-GC220

更新时间: 2024-11-20 07:29:39
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三星 - SAMSUNG 动态存储器双倍数据速率
页数 文件大小 规格书
72页 1253K
描述
DDR DRAM, 16MX16, 0.35ns, CMOS, PBGA84, FBGA-84

K4N56163QF-GC220 数据手册

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256M gDDR2 SDRAM  
K4N56163QF-GC  
256Mbit gDDR2 SDRAM  
4M x 16Bit x 4 Banks  
gDDR2 SDRAM  
with Differential Data Strobe and DLL  
Revision 1.3  
January 2005  
Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.  
- 1 -  
Rev 1.3 (Jan. 2005)  

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