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K4N56163QF-ZC2AT

更新时间： 2024-10-01 15:38:43

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三星 - SAMSUNG		时钟动态存储器双倍数据速率内存集成电路
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64页	1424K
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DDR DRAM, 16MX16, CMOS, PBGA84,

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K4N56163QF-ZC2AT 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FBGA, BGA84,9X15,32	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.84	最大时钟频率 (fCLK)：	350 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	4,8
JESD-30 代码：	R-PBGA-B84	内存密度：	268435456 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM	内存宽度：	16
端子数量：	84	字数：	16777216 words
字数代码：	16000000	最高工作温度：	95 °C
最低工作温度：		组织：	16MX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	FBGA	封装等效代码：	BGA84,9X15,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, FINE PITCH
电源：	1.8 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	连续突发长度：	4,8
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.41 mA
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	Base Number Matches：	1

K4N56163QF-ZC2AT 数据手册

256M gDDR2 SDRAM

K4N56163QF-GC

256Mbit gDDR2 SDRAM

Revision 2.0

October 2005

Notice

INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED IN RELATION TO SAMSUNG PRODUCTS,

AND IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE.

NOTHING IN THIS DOCUMENT SHALL BE CONSTRUED AS GRANTING ANY LICENSE,

EXPRESS OR IMPLIED, BY ESTOPPEL OR OTHERWISE,

TO ANY INTELLECTUAL PROPERTY RIGHTS IN SAMSUNG PRODUCTS OR TECHNOLOGY. ALL

INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED

ON AS "AS IS" BASIS WITHOUT GUARANTEE OR WARRANTY OF ANY KIND.

1. For updates or additional information about Samsung products, contact your nearest Samsung office.

2. Samsung products are not intended for use in life support, critical care, medical, safety equipment, or similar

applications where Product failure could result in loss of life or personal or physical harm, or any military or

defense application, or any governmental procurement to which special terms or provisions may apply.

* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

Rev. 2.0 Oct. 2005

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