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K4N56163QI-ZC20T

更新时间： 2024-11-20 08:26:15

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数	文件大小	规格书
64页	1395K
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DDR DRAM, 16MX16, 0.35ns, CMOS, PBGA84,

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K4N56163QI-ZC20T 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
最长访问时间：	0.35 ns	最大时钟频率 (fCLK)：	500 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	4,8
JESD-30 代码：	R-PBGA-B84	JESD-609代码：	e1
内存密度：	268435456 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM
内存宽度：	16	湿度敏感等级：	3
端子数量：	84	字数：	16777216 words
字数代码：	16000000	最高工作温度：	95 °C
最低工作温度：		组织：	16MX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	FBGA	封装等效代码：	BGA84,9X15,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	1.8 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
连续突发长度：	4,8	最大待机电流：	0.01 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.29 mA
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	Base Number Matches：	1

K4N56163QI-ZC20T 数据手册

256M gDDR2 SDRAM

K4N56163QI

256Mbit gDDR2 SDRAM

Revision 1.2

August 2007

Notice

INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED IN RELATION TO SAMSUNG PRODUCTS,

AND IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE.

NOTHING IN THIS DOCUMENT SHALL BE CONSTRUED AS GRANTING ANY LICENSE,

EXPRESS OR IMPLIED, BY ESTOPPEL OR OTHERWISE,

TO ANY INTELLECTUAL PROPERTY RIGHTS IN SAMSUNG PRODUCTS OR TECHNOLOGY. ALL

INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED

ON AS "AS IS" BASIS WITHOUT GUARANTEE OR WARRANTY OF ANY KIND.

1. For updates or additional information about Samsung products, contact your nearest Samsung office.

2. Samsung products are not intended for use in life support, critical care, medical, safety equipment, or similar

applications where Product failure could result in loss of life or personal or physical harm, or any military or

defense application, or any governmental procurement to which special terms or provisions may apply.

* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

Rev 1.2 Aug. 2007

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K4N56163QI-ZC220	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 16MX16, 0.35ns, CMOS, PBGA84, ROHS COMPLIANT, FBGA-84
K4N56163QI-ZC22T	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 16MX16, 0.35ns, CMOS, PBGA84
K4N56163QI-ZC25	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 16MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84,
K4N56163QI-ZC2A	SAMSUNG	获取价格	DRAM
K4N56163QI-ZC2A0	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 16MX16, 0.45ns, CMOS, PBGA84, ROHS COMPLIANT, FBGA-84
K4N56163QI-ZC2AT	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 16MX16, 0.45ns, CMOS, PBGA84,
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K4P160411C-B6000	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO28, SOJ-28
K4P160411C-BC50	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28

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