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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FBGA, BGA84,9X15,32 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.84 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 0.5 ns | 最大时钟频率 (fCLK)： | 275 MHz |
| I/O 类型： | COMMON | 交错的突发长度： | 4,8 |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B84 | JESD-609代码： | e1 |
| 内存密度： | 536870912 bit | 内存集成电路类型： | DDR DRAM |
| 内存宽度： | 16 | 湿度敏感等级： | 3 |
| 端子数量： | 84 | 字数： | 33554432 words |
| 字数代码： | 32000000 | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 32MX16 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | FBGA | 封装等效代码： | BGA84,9X15,32 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | GRID ARRAY, FINE PITCH |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 电源： | 1.8 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 刷新周期： | 8192 |
| 连续突发长度： | 4,8 | 最大待机电流： | 0.01 A |
| 子类别： | DRAMs | 最大压摆率： | 0.32 mA |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 1.8 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | OTHER |
| 端子面层： | TIN SILVER COPPER | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 0.8 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| K4N51163QC-ZC360 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 32MX16, 0.5ns, CMOS, PBGA84, ROHS COMPLIANT, FBGA-84 |
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| K4N51163QC-ZC36T | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 32MX16, 0.5ns, CMOS, PBGA84 |
|
| K4N51163QE-ZC20 | SAMSUNG |
获取价格 |
Cache DRAM Module, 32MX16, 0.35ns, CMOS, PBGA84 |
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| K4N51163QE-ZC25 | SAMSUNG |
获取价格 |
Cache DRAM Module, 32MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84 |
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| K4N51163QE-ZC25T | SAMSUNG |
获取价格 |
Cache DRAM Module, 32MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84 |
|
| K4N51163QE-ZC2A | SAMSUNG |
获取价格 |
Cache DRAM Module, 32MX16, 0.45ns, CMOS, PBGA84 |
|
| K4N51163QG | SAMSUNG |
获取价格 |
Graphic Memory |
|
| K4N51163QG-HC200 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 32MX16, 0.35ns, CMOS, PBGA84, ROHS COMPLIANT, FBGA-84 |
|
| K4N51163QG-HC25T | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 32MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84, |
|
| K4N51163QZ | SAMSUNG |
获取价格 |
Graphic Memory |
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