Datasheet > K4N51163QE-ZC2A

K4N51163QE-ZC2A

更新时间： 2024-01-19 00:54:59

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
64页	1401K
描述
Cache DRAM Module, 32MX16, 0.45ns, CMOS, PBGA84

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

K4N51163QE-ZC2A 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	FBGA, BGA84,9X15,32
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.84
最长访问时间：	0.45 ns	最大时钟频率 (fCLK)：	350 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	4,8
JESD-30 代码：	R-PBGA-B84	JESD-609代码：	e3
内存密度：	536870912 bit	内存集成电路类型：	CACHE DRAM MODULE
内存宽度：	16	湿度敏感等级：	1
端子数量：	84	字数：	33554432 words
字数代码：	32000000	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：		组织：	32MX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	FBGA	封装等效代码：	BGA84,9X15,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	225	电源：	1.8 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
连续突发长度：	4,8	最大待机电流：	0.008 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.25 mA
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

K4N51163QE-ZC2A 数据手册

512M gDDR2 SDRAM

K4N51163QE

512Mbit gDDR2 SDRAM

Revision 1.2

May 2007

Notice

INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED IN RELATION TO SAMSUNG PRODUCTS,

AND IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE.

NOTHING IN THIS DOCUMENT SHALL BE CONSTRUED AS GRANTING ANY LICENSE,

EXPRESS OR IMPLIED, BY ESTOPPEL OR OTHERWISE,

TO ANY INTELLECTUAL PROPERTY RIGHTS IN SAMSUNG PRODUCTS OR TECHNOLOGY. ALL

INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED

ON AS "AS IS" BASIS WITHOUT GUARANTEE OR WARRANTY OF ANY KIND.

1. For updates or additional information about Samsung products, contact your nearest Samsung office.

2. Samsung products are not intended for use in life support, critical care, medical, safety equipment, or similar

applications where Product failure could result in loss of life or personal or physical harm, or any military or

defense application, or any governmental procurement to which special terms or provisions may apply.

* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

Rev 1.2 May 2007

- 1 -

12 3 4 5 6 7...64

中文翻译

下载PDF

与K4N51163QE-ZC2A相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K4N51163QG	SAMSUNG	获取价格	Graphic Memory
K4N51163QG-HC200	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 32MX16, 0.35ns, CMOS, PBGA84, ROHS COMPLIANT, FBGA-84
K4N51163QG-HC25T	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 32MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84,
K4N51163QZ	SAMSUNG	获取价格	Graphic Memory
K4N51163QZ-HC200	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 32MX16, 0.35ns, CMOS, PBGA84, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-84
K4N51163QZ-HC20T	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 32MX16, 0.35ns, CMOS, PBGA84,
K4N51163QZ-HC250	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 32MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-84
K4N56163QF	SAMSUNG	获取价格	256Mbit gDDR2 SDRAM
K4N56163QF-GC	SAMSUNG	获取价格	256Mbit gDDR2 SDRAM
K4N56163QF-GC200	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 16MX16, 0.3ns, CMOS, PBGA84, FBGA-84

与K4N51163QE-ZC2A相关文章

BSS138LT3G：一款高效能N沟道MOSFET的全面解析
2024-07-04

8
解读EGP10B二极管资料手册：产品特性、参数分析
2024-07-04

8
RT9164AGG手册资料详解：引脚信息、设计指南
2024-07-04

10
2SA1037KPT资料详解：产品特性、电气参数、设计指南
2024-07-04

11

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

K4N51163QE-ZC2A

K4N51163QE-ZC2A 技术参数

K4N51163QE-ZC2A 数据手册

与K4N51163QE-ZC2A相关器件

与K4N51163QE-ZC2A相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

K4N51163QE-ZC2A

K4N51163QE-ZC2A 技术参数

K4N51163QE-ZC2A 数据手册

与K4N51163QE-ZC2A相关器件

与K4N51163QE-ZC2A相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？