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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | BGA | 包装说明： | TFBGA, |
| 针数： | 84 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.24 |
| 风险等级： | 5.92 | 访问模式： | FOUR BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间： | 0.3 ns | 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B84 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 13 mm | 内存密度： | 268435456 bit |
| 内存集成电路类型： | DDR DRAM | 内存宽度： | 16 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 84 | 字数： | 16777216 words |
| 字数代码： | 16000000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 组织： | 16MX16 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TFBGA | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.2 mm |
| 自我刷新： | YES | 最大供电电压 (Vsup)： | 2.1 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 1.9 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 2 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 0.8 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 宽度： | 11 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| K4N56163QF-GC220 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 16MX16, 0.35ns, CMOS, PBGA84, FBGA-84 |
|
| K4N56163QF-GC25 | SAMSUNG |
获取价格 |
256Mbit gDDR2 SDRAM |
|
| K4N56163QF-GC250 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 16MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84, FBGA-84 |
|
| K4N56163QF-GC25T | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 16MX16, CMOS, PBGA84, |
|
| K4N56163QF-GC2A | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 16MX16, 0.45ns, CMOS, PBGA84, FBGA-84 |
|
| K4N56163QF-GC2A0 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 16MX16, 0.45ns, CMOS, PBGA84, FBGA-84 |
|
| K4N56163QF-GC30 | SAMSUNG |
获取价格 |
256Mbit gDDR2 SDRAM |
|
| K4N56163QF-GC300 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 16MX16, 0.45ns, CMOS, PBGA84, FBGA-84 |
|
| K4N56163QF-GC33 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 16MX16, 0.47ns, CMOS, PBGA84, FBGA-84 |
|
| K4N56163QF-GC330 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 16MX16, 0.47ns, CMOS, PBGA84, FBGA-84 |
|
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