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K4N51163QE-ZC25

更新时间： 2024-11-20 06:11:51

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三星 - SAMSUNG		时钟动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
64页	1401K
描述
Cache DRAM Module, 32MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84

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K4N51163QE-ZC25 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	FBGA, BGA84,9X15,32
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.8
最长访问时间：	0.4 ns	最大时钟频率 (fCLK)：	400 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	4,8
JESD-30 代码：	R-PBGA-B84	内存密度：	536870912 bit
内存集成电路类型：	CACHE DRAM MODULE	内存宽度：	16
湿度敏感等级：	3	端子数量：	84
字数：	33554432 words	字数代码：	32000000
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：
组织：	32MX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	FBGA
封装等效代码：	BGA84,9X15,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, FINE PITCH	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	1.8 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	连续突发长度：	4,8
最大待机电流：	0.008 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.28 mA	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

K4N51163QE-ZC25 数据手册

512M gDDR2 SDRAM

K4N51163QE

512Mbit gDDR2 SDRAM

Revision 1.2

May 2007

Notice

INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED IN RELATION TO SAMSUNG PRODUCTS,

AND IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE.

NOTHING IN THIS DOCUMENT SHALL BE CONSTRUED AS GRANTING ANY LICENSE,

EXPRESS OR IMPLIED, BY ESTOPPEL OR OTHERWISE,

TO ANY INTELLECTUAL PROPERTY RIGHTS IN SAMSUNG PRODUCTS OR TECHNOLOGY. ALL

INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED

ON AS "AS IS" BASIS WITHOUT GUARANTEE OR WARRANTY OF ANY KIND.

1. For updates or additional information about Samsung products, contact your nearest Samsung office.

2. Samsung products are not intended for use in life support, critical care, medical, safety equipment, or similar

applications where Product failure could result in loss of life or personal or physical harm, or any military or

defense application, or any governmental procurement to which special terms or provisions may apply.

* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

Rev 1.2 May 2007

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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K4N51163QG	SAMSUNG	获取价格	Graphic Memory
K4N51163QG-HC200	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 32MX16, 0.35ns, CMOS, PBGA84, ROHS COMPLIANT, FBGA-84
K4N51163QG-HC25T	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 32MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84,
K4N51163QZ	SAMSUNG	获取价格	Graphic Memory
K4N51163QZ-HC200	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 32MX16, 0.35ns, CMOS, PBGA84, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-84
K4N51163QZ-HC20T	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 32MX16, 0.35ns, CMOS, PBGA84,
K4N51163QZ-HC250	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 32MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-84
K4N56163QF	SAMSUNG	获取价格	256Mbit gDDR2 SDRAM

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